IXYS Corporation / Littelfuse的200 V超结X3级HiPerFET™MOSFET的额定电流范围为36 A至300 A.多种国际标准封装可提供多种器件选择。

这些MOSFET采用电荷补偿原理和IXYS / Littelfuse自己的工艺技术制造，具有目前业界最低的导通电阻（例如，SOT-227封装为3.5毫欧，TO-264为4毫欧）。这些器件的栅极电荷低至21纳道库，可在各种高速功率转换应用中实现高功率密度和能效。

器件的快速体二极管经过优化，具有低反向恢复电荷和时间，从而抑制瞬变并实现低噪声，高效率的电源切换。此外，这些MOSFET具有雪崩功能，并具有出色的dv / dt性能（高达20 V / ns）。

目标应用包括同步整流，轻型电动车（LEV）电池充电器，电机控制（48 V至110 V系统），DC-DC转换器，不间断电源，电动叉车，逆变器，电源固态继电器和D类音频放大器。