PWD13F60 高密度功率驱动器
STMicroelectronics PWD13F60 高密度集成功率 MOSFET ( PWD13F60 High-Density Power Driver ) 适用于各种不同的应用
发布时间:2018-06-13
STMicroelectronics PWD13F60 是完整的 600 V、8 A 集成式功率 MOSFET 全桥,采用 13 mm x 10 mm 封装,带嵌入式的栅极驱动器。该器件可为工业电机驱动器、灯具镇流器、电源、转换器和逆变器节省物料清单成本和板空间。
凭借比分立元件构建的同类电路体积小 60% 的封装,PWD13F60 提升了最终应用的功率密度。它集成了四个功率 MOSFET,能为 DC 电机提供独特的高效解决方案;是市场上通常为双 FET 半桥或六 FET 三相设备的其他模块的真正替代方案。与这些选择不同的是,只需一个 PWD13F60 即可实现全桥拓扑结构,而不使用内部 MOSFET。
PWD13F60 高密度功率驱动器特性
在设计和系统组装过程中节省 PCB 空间和 BOM 成本
600 V 全桥系统级封装,具有 2 个栅极驱动器和 4 功率 MOSFET
嵌入到栅极驱动器的自举二极管
高热效 QFN 封装
紧凑的 QFN (13 mm x 10 mm),裸焊盘
适用于宽范围的工业应用
8 A 和 320 mΩ 嵌入式功率 MOSFET
轻松连接微控制器、DSP 单元或霍尔效应传感器
3.3 V 和 15 V 兼容输入
最大的保护
集成的跨导和欠压锁定保护
PWD13F60 高密度功率驱动器应用
用于工业和家用电器的电机驱动器
工厂自动化
风扇和泵
HID、镇流器
电源单元
DC-AC 和 DC-DC 转换器
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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