300 V 超结 X3 系列 HiPerFET™ 功率 MOSFET
IXYS 的 300 V X3 系列功率 MOSFET (300 V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs)具有基准导通电阻和栅极电荷品质因数
发布时间:2018-12-20
IXYS LLC(现属于 Littelfuse)推出了一个新功率半导体产品线:300 V Ultra-Junction X3 系列 HiPerFET 功率 MOSFET。其导通电阻和栅极电荷分别低至 4.6 毫欧和 22 纳库伦,针对软硬开关电源转换应用进行了优化。
与 IXYS 的其他超结产品一样,这些新器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,使功率 MOSFET 具有同类最佳的品质因数(导通电阻乘以栅极电荷)。它们具有业界最低的导通电阻(例如,TO-264 封装为 5.5毫欧,SOT-227 为 4.6 毫欧),可实现电力系统中最高的功率密度和能效。
凭借超低反向恢复电荷和时间,快速体二极管能够在高速开关期间消除所有剩余能量,以避免器件故障并实现高效率。此外,新型 MOSFET 具有出色的 dv/dt 性能(最高 20 V/ns),并且具有雪崩功能。因此,这些坚固的设备需要的缓冲器更少,并且可以用于硬开关或谐振功率转换器。
目标应用包括用于电信电源的同步整流、电机控制(48 V 至 110 V 系统)、不间断电源、高性能D类音频放大器、DC-DC 转换器、太阳能逆变器和多电平逆变器。
该系列目前有 25 个产品可供,是业界最广泛的 300 V 超结 MOSFET 产品系列。它们采用以下国际标准尺寸封装:TO-3P、TO220(包覆成型或标准)、TO-247、PLUS247、TO-252、TO-263、TO-264、TO-268HV、SOT227。示例部件号包括 IXFY26N30X3、IXFA38N30X3、IXFT150N30X3HV 和 IXFN210N30X3,其额定电流分别为 26 A、38 A、150 A 和 210 A。
300 V 超结 X3 系列 HiPerFET™ 功率 MOSFET特性
特性
一流的导通电阻 RDS(on) 和栅极电荷 Qg 品质因数
快速恢复二极管
dv/dt 和雪崩稳健性
国际标准封装
优势
最高效率
高功率密度
易于加入设计
300 V 超结 X3 系列 HiPerFET™ 功率 MOSFET应用
电信电源的同步整流
电机控制(48 V 至 110 V 系统)
不间断电源 (UPS)
高性能 D 类音频放大器
DC-DC 转换器
太阳能逆变器
多级逆变器
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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| IXFY26N30X3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA | ¥40.89978 | 在线订购 | |
| IXFX210N30X3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3 | 在线订购 | ||
| IXFT120N30X3HV | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV | ¥134.68063 | 在线订购 | |
| IXFT100N30X3HV | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV | ¥121.28530 | 在线订购 |