资讯Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块，延长链路距离，提高抗ESD可靠性2024-03-15

器件符合 IrDA® 标准，采用内部开发的新型 IC 和表面发射器芯片技术，可以即插即用的方式替换现有解决方案   美国 宾夕法尼亚 MALVER N 、中国 上海 — 2024 年 3 月 13 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出适于IrDA®应用的升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 数据速率（SIR），链路距离为1米，适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗

资讯Vishay宣布推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块2024-03-14

日前，Vishay 宣布，推出适于 IrDA 应用的升级版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长 20 %，抗 ESD 能力提高到 2 kV。器件支持 115.2 kbit/s 数据速率（SIR），链路距离为 1 米，适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗设备无线通信和数据传输。

资讯Vishay助力同济电车队斩获佳绩，创新技术提升赛车性能2024-03-12

在充满激情与挑战的2023年大学生方程式系列赛事中，同济大学电车队凭借出色的表现再次赢得了广泛的赞誉。车队不仅在竞争激烈的中国赛区（FSEC）中脱颖而出，更在日本赛区（FSAEJ）的比赛中取得了令人瞩目的成绩，特别是在Design Final Event中荣获第三名，彰显了同济电车队在赛车设计领域的卓越实力。

资讯Vishay推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET2024-03-12

近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET集成在紧凑的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3 x 3FS单体封装中，为工业和通信应用的功率转换带来了显著的性能提升。