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BCPxT/BCPxH 系列晶体管
Nexperia 强大而高效的中等功率晶体管（BCPxT/BCPxH Series Transistors）采用 SOT223 SMD 塑料封装，通过了 AEC-Q101 标准鉴定
发布时间：2018-11-26
Nexperia 的 BCPxT 和 BCPxH 系列晶体管采用 SOT223 封装，非常适合中等功率应用。它们具有高功率耗散能力和高能效。该系列中有几个互补的 NPN 和 PNP 晶体管对，可满足从放大器到线性稳压器等多种消费产品需求。
BCPxT/BCPxH 系列晶体管特性
高集电极电流能力 IC 和 ICM
三种电流增益选择
高功率耗散能力
通过 AEC-Q101 标准鉴定
BCPxT/BCPxH 系列晶体管应用
线性稳压器
MOSFET 驱动器
高压侧开关
电源管理
放大器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BCP53-10HX | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=725mW SOT223 | ￥3.81240 | 在线订购 |
 | | BCP53-10TX | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=1.8W SOT223 | ￥3.57480 | 在线订购 |
 | | BCP53-16HX | 通用三极管-晶体管 | 80V，1A PNP中功率晶体管 | ￥3.10230 | 在线订购 |
| | BCP53-16TX | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=100~250 P=1.8W SOT223 | ￥0.64209 | 在线订购 |
 | | BCP53HX | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=725mW SOT223 | ￥1.94184 | 在线订购 |
| | BCP53TX | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=1.8W SOT223 | ￥0.54560 | 在线订购 |
 | | BCP56-10HX | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=725mW SOT223 | ￥1.00030 | 在线订购 |
 | | BCP56-10TF | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=600mW SOT223 | ￥2.61209 | 在线订购 |
| | BCP56-10TX | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=1.8W SOT223 | ￥0.72810 | 在线订购 |
| | BCP56-16HX | 通用三极管-晶体管 | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：725mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V 特征频率(fT)：155MHz 工作温度：+175℃@(Tj) | ￥1.15560 | 在线订购 |
 | | BCP56-16TF | 通用三极管-晶体管 | 80V，1A NPN中功率晶体管 | ￥0.72120 | 在线订购 |
 | | BCP56-16TX | 通用三极管-晶体管 | SC-73 1A 155MHz 1.8W | ￥0.37782 | 在线订购 |
 | | BCP56HX | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=725mW SOT223 | 在线订购 | |
 | | BCP56TF | 通用三极管-晶体管 | 三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=600mW SOT223 | ￥2.25310 | 在线订购 |
| | BCP56TX | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=1.8W SOT223 | ￥0.74643 | 在线订购 |
应用案例
资讯74HC595D,118 （nexperia）8位移位寄存器中文参数_功能优点_功能图_封装2024-07-31
74HC595D,118是nexperia安世生产的一款具有存储寄存器和三态输出的8位移位寄存器，集成了存储寄存器和三态输出，专为灵活的串行到并行数据转换设计。允许级联多个寄存器并有各自独立的时钟。允许使用限流电阻将输入接口连接到超过VCC的电压。(买安世元器件，去安玛芯城就够了！！！)
资讯安世半导体P沟道LFPAK56 MOSFET特性概述2024-07-25
Nexperia（安世半导体）将向您展示H桥直流电机控制电路参考设计。 H桥电路是一个全桥DC-DC转换器，支持有刷直流电动机（最大电压48 V、最小电压12 V、最大电流5 A）运行。该控制电路的输入电压范围为12-48V，适用于功率高达250 W的电机。本设计的主要特色是所有电子功能均采用汽车级Nexperia分立器件、MOSFET器件和逻辑器件（经济高效，无需微控制器或软件）。此外，该H桥电机控制器PCB还为用户提供了三种Nexperia MOSFET封装选项（LFPAK33、LFPAK56D或LFPAK56）。
资讯Nexperia全新ESD保护器件如何保护汽车电路板2024-07-17
过去，简单的12 V铅酸电池是几乎所有汽车的普遍配置，这意味着保护车辆电气设备免受静电放电(ESD)是一项相对简单的任务。然而，汽车结构正在发生根本性的快速变化，这意味着设计人员现在需要更广泛的ESD保护器件选择，以确保车辆在道路上安全运行。
资讯Nexperia推用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍2022-11-21
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将业内领先的安全工作区（SOA）性能与超低的 RDS(on)相结合，非常适合用于 12V 热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 多年来，Nexperia（安世半导体）致力于将成熟的 MOSFET 专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键 MOSFET 的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的
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资讯Nexperia扩展一系列创新应用专用MOSFET2024-07-15
随着设计人员打破应用性能界限，了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去，具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是，为了满足特定的应用要求或功能，越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如，应用可能要求软启动、扩展的安全工作区域、可靠的线性模式性能或增强的保护。在Nexperia，我们将久经验证的MOSFET专业知识和广泛的应用认知相结合，打造了一系列更丰富的应用专用MOSFET。
资讯Nexperia发布650V超快速恢复整流二极管2024-07-12
在半导体技术的持续创新浪潮中，Nexperia再次站在了行业的前沿，隆重推出了两款专为高压环境精心设计的650V超快速恢复整流二极管。这两款产品不仅代表了Nexperia在高压半导体元件领域的深厚积累，也预示着工业及消费领域将迎来更高效、更可靠的电力转换解决方案。
资讯Nexperia推出650V两种超快速恢复整流二极管2024-07-11
Nexperia（安世半导体）近日推出了采用D2PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管，可用于各种工业和消费应用，包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。 这些整流二极管结合了平面芯片技术和最先进的结高压终端 (JTE) 设计，具有高功率密度、快速开关时间、软恢复能力和出色的可靠性。它们采用D2PAK真双引脚封装 (SOT8018)，封装尺寸与标准D2PAK封装相同，但只有两个引脚，而不是三个（去掉了中间的阴极引脚）。这
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