尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    主页所有制造商NexperiaBCPxT/BCPxH 系列晶体管

    BCPxT/BCPxH 系列晶体管

    BCPxT/BCPxH 系列晶体管

    Nexperia 强大而高效的中等功率晶体管(BCPxT/BCPxH Series Transistors)采用 SOT223 SMD 塑料封装,通过了 AEC-Q101 标准鉴定

    发布时间:2018-11-26

    Nexperia 的 BCPxT 和 BCPxH 系列晶体管采用 SOT223 封装,非常适合中等功率应用。它们具有高功率耗散能力和高能效。该系列中有几个互补的 NPN 和 PNP 晶体管对,可满足从放大器到线性稳压器等多种消费产品需求。

    BCPxT/BCPxH 系列晶体管特性

    • 高集电极电流能力 IC 和 ICM

    • 三种电流增益选择

    • 高功率耗散能力

    • 通过 AEC-Q101 标准鉴定

    BCPxT/BCPxH 系列晶体管应用

    1. 线性稳压器

    2. MOSFET 驱动器

    3. 高压侧开关

    4. 电源管理

    5. 放大器

    BCPxT/BCPxH Series Transistors
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    BCP53-10HX通用三极管-晶体管通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=725mW SOT223¥3.81240在线订购
    BCP53-10TX通用三极管-晶体管通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=1.8W SOT223¥3.25307在线订购
    BCP53-16HX通用三极管-晶体管80V,1A PNP中功率晶体管¥1.15431在线订购
    BCP53-16TX通用三极管-晶体管通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=100~250 P=1.8W SOT223¥0.65816在线订购
    BCP53HX通用三极管-晶体管通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=725mW SOT223¥3.34800在线订购
    BCP53TX通用三极管-晶体管通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=1.8W SOT223¥0.80520在线订购
    BCP56-10HX通用三极管-晶体管通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=725mW SOT223¥0.82394在线订购
    BCP56-10TF通用三极管-晶体管通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=600mW SOT223¥6.05880在线订购
    BCP56-10TX通用三极管-晶体管通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=1.8W SOT223¥0.72810在线订购
    BCP56-16HX通用三极管-晶体管晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):725mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V 特征频率(fT):155MHz 工作温度:+175℃@(Tj)¥1.07579在线订购
    BCP56-16TF通用三极管-晶体管80V,1A NPN中功率晶体管¥0.72123在线订购
    BCP56-16TX通用三极管-晶体管 SC-73 1A 155MHz 1.8W¥0.38340在线订购
    BCP56HX通用三极管-晶体管通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=725mW SOT223在线订购
    BCP56TF通用三极管-晶体管三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=600mW SOT223¥3.95280在线订购
    BCP56TX通用三极管-晶体管通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=1.8W SOT223¥0.73246在线订购

    应用案例

    • 资讯安世半导体CCPAK1212封装再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现2024-12-12

      基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装,具有业内领先的功率密度和优越性能。 创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色,因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项,可实现高功率密度

    • 资讯安世半导体CCPAK1212封装再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现2024-12-12

      基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装,具有业内领先的功率密度和优越性能。 创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色,因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项,可实现高功率密度

    • 资讯Nexperia发布16款新功率MOSFET,采用创新CCPAK封装2024-12-12

      Nexperia近日宣布正式推出16款全新的80V和100V功率MOSFET。这些产品均采用了创新的铜夹片CCPAK1212封装技术,为行业树立了功率密度和性能的新标杆。 CCPAK封装设计独特,能够承载高电流,寄生电感更低,同时热性能卓越。这些特性使得新推出的MOSFET非常适合电机控制、电源管理、可再生能源系统以及其他高耗电应用。 值得一提的是,该系列还包含了专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET(ASFET)。这些器件不仅性能出众,还能满足AI服务器对热插拔功能

    • 资讯Nexperia推用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍2022-11-21

      基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合,推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的 RDS(on)相结合,非常适合用于 12V 热插拔应用,包括数据中心服务器和通信设备。  多年来,Nexperia(安世半导体)致力于将成熟的 MOSFET 专业知识和广泛的应用经验结合起来,增强器件中关键 MOSFET 的性能,满足特定应用的要求,以打造市场领先的

    • 资讯Nexperia发布微型车规级MicroPak XSON5逻辑IC2024-12-11

      Nexperia今日正式推出了一系列采用微型车规级MicroPak XSON5无引脚封装的新型逻辑IC。这些专为空间受限应用设计的微型逻辑IC,旨在满足汽车领域日益增长的复杂需求。 MicroPak XSON5封装以其独特的设计,成为汽车领域各种应用场景的理想选择,包括底盘安全系统、电池监控、信息娱乐系统以及高级驾驶辅助系统(ADAS)等。该封装采用热增强型塑料外壳,不仅提高了产品的可靠性,还显著减小了PCB面积,相较于传统的有引脚微型逻辑封装,面积缩小了75%。 此外

    • 资讯安世半导体650V IGBT网络研讨会前瞻2024-12-09

      IGBT是中高压应用的主要器件。为满足越来越多的对稳健、高效和具有成本效益的电源解决方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先进的载流子储存沟栅场截止(FS)工艺,为工业应用带来高可靠性的同时,提高功率密度。

    • 资讯安世半导体650V IGBT网络研讨会前瞻2024-12-09

      IGBT是中高压应用的主要器件。为满足越来越多的对稳健、高效和具有成本效益的电源解决方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先进的载流子储存沟栅场截止(FS)工艺,为工业应用带来高可靠性的同时,提高功率密度。

    • 资讯安世半导体将举行理想二极管与负载开关线上研讨会2024-12-03

      在物联网系统的复杂电源架构中,安世半导体理想二极管和负载开关可以协同工作,以实现高效的电源路径管理。理想二极管较传统二极管的卓越特性有哪些?负载开关如何优化系统能效?

    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照