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TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)
Transphorm 的 GaN FET （TP65H050WS/TP65H035WS Third Generation (Gen III) Gallium Nitride (GaN) Field-Effect Transistors (FETs)）通过降低电磁干扰 (EMI) 和提高抗噪性来实现更安静的开关
发布时间：2018-11-26
Transphorm 的 TP65H050WS 和 TP65H035WS 为 Gen III 650 V GaN FET。它们可以降低 EMI，提高栅极噪声抗扰度，并在电路应用中提供更大的裕量。50 mΩ TP65H050WS 和 35 mΩ TP65H035WS 采用标准 TO-247 封装。
MOSFET 和设计修改使 Gen III 器件能够将阈值电压（抗噪声）从 2.1 V (Gen II) 提升到更高的 4 V，从而无需负栅极驱动。栅极可靠性比第二代增加了11%，最高达到 ±20 V.这样可以实现更安静的切换，并且该平台可通过简单的外部电路在更高的电流水平下提供性能改善。
Seasonic Electronics 公司的 1600T 是 1600 W 无桥图腾柱平台，使用这些高压 GaN FET 为电池充电器（电动滑板车、工业应用等）、PC 电源、服务器和游戏市场带来 99% 的功率因数校正 (PFC) 效率。将这些 FET 与基于芯片的 1600T 平台一起使用的好处包括效率提高 2%，功率密度提高 20%。
1600T 平台采用 Transphorm 的 TP65H035WS，以提高硬开关和软开关电路的效率，并在设计电源系统产品时提供用户选择。TP65H035WS 可与常用的栅极驱动器配对，简化了设计。
TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)特性
特征
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
稳健的设计：
本征使用寿命测试
宽栅极安全裕量
瞬态过压能力
动态 RDS(on)eff 生产测试
非常低的 QRR
降低了分频损耗
符合 RoHS 规范且无卤素的封装
优势
实现交流/直流 (AC/DC) 无桥图腾柱 PFC 设计
更高的功率密度
减小系统尺寸和重量
提高 Si 的效率/运行频率
使用常用的栅极驱动器易于驱动
GSD 引脚布局改善了高速设计
TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)应用
数据通信
广泛的工业应用
PV 逆变器
伺服电机
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TDTTP4000W066B-KIT | 开发板/评估板/验证板-开发板/套件/编程器 | 4KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT | 在线订购 | |
 | | TDINV3000W050-KIT | 时钟/计时 - IC 电池 | 3.0KW INVERTER EVAL KIT | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TP65H050WS | 氮化镓晶体管(GaN HEMT)-晶体管 | 通孔 N 通道 650 V 34A（Tc） 119W（Tc） TO-247-3 | ￥128.87302 | 在线订购 |
 | | TP65H035WS | MOSFETs-晶体管 | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | ￥137.54208 | 在线订购 |
应用案例
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加速宽禁带产品供应并推出15款全新基于GaN的成功产品组合参考设计 2024 年 6 月 20 日，日本东京讯 ― 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）今日宣布，已于2024年6月20日完成对氮化镓（GaN）功率半导体全球供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）的收购。随着收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于GaN的功率产品和相关参考设计，以满足对宽禁带（WBG）半导体产品日益增长的需求。 与传统的硅基器件相比，GaN和碳
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资讯瑞萨宣布收购Transphorm，双方已达成最终协议2024-01-19
此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约合人民币24.27亿元）。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术。
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