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    采用 Clip-Bonded FlatPower (CFP) 封装的肖特基整流器

    采用 Clip-Bonded FlatPower (CFP) 封装的肖特基整流器

    Nexperia 的肖特基整流器(Schottky Rectifiers in Clip-Bonded FlatPower (CFP) Packages)平面和沟槽式产品组合将高性能与节省空间型封装集于一体

    发布时间:2018-10-11

    Nexperia 的 CFP 封装肖特基整流器产品组合非常适用于汽车、工业、消费和计算应用,可满足节省空间型高效设计极具挑战性的需求。该产品组合分为三组产品并提供三种封装类型,可确保最完美地适合所有低功耗应用中的客户电源电路。

    CFP 封装具有高功率能力,可用作 SMA 的真正替代方案且散热性能更优。该产品设计体积小、重量轻,可节省重量和空间,从而实现更高的功率密度以及不过时的设计。

    采用 Clip-Bonded FlatPower (CFP) 封装的肖特基整流器特性

    • VR 最高:20 V 至 100 V;IF 最高:1 A 至 15 A

    • 极低的正向压降和低泄漏,可实现最高效率

    • 结温高达 175°C

    • 符合 AEC-Q101 标准

    • 坚固的铜夹,适于高热性能和功率耗散

    • 上一代 SMx 封装器件的替代品

    • 精心规划的封装和产品组合扩展

    • 大量安全供应

    • 降低了封装电感,以改善开关性能

    • 创新的硅和更低的封装电阻,以获得更好的电气性能

    采用 Clip-Bonded FlatPower (CFP) 封装的肖特基整流器应用

    1. 充电器和电池供电型设备

    2. 电动汽车

    3. 高温汽车应用(例如变速箱、发动机控制单元)

    4. 车辆 LED 照明

    5. 显示器中的 LED 背光

    6. 混动汽车中的动力总成系统

    CFP15 (SOD1289) Packaging
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    PMEG45A10EPDAZ肖特基二极管-二极管肖特基二极管 45V 900mW SMT SOT1289 10A 715pF在线订购
    PMEG45U10EPDZ肖特基二极管-二极管肖特基二极管 45V 1.4W SMT SOT1289 10A 390pF¥8.25771在线订购
    PMEG045V100EPDZ肖特基二极管-二极管肖特基二极管 45V 1.66W SMT CFP15 10A¥4.36320在线订购
    PMEG045V150EPDAZ肖特基二极管-二极管肖特基二极管 45V 1.66W SMT CFP15 15A¥7.91640在线订购
    PMEG050V150EPDZ肖特基二极管-二极管直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):15A 正向压降(Vf):500mV@15A¥9.37440在线订购
    CFP3 (SOD123W) Packaging
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    PMEG4010ETR,115肖特基二极管-二极管肖特基二极管 40V 680mW SMT SOD123W 1.4A 130pF¥0.59060在线订购
    PMEG6010ETR,115肖特基二极管-二极管直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):530mV@1A¥0.92891在线订购
    PMEG6020ETR,115肖特基二极管-二极管直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):530mV@2A¥1.01445在线订购
    PMEG6010ELRX肖特基二极管-二极管肖特基二极管 60V 680mW SMT SOD123W 1A 110pF¥0.87340在线订购
    PMEG6020ELRX肖特基二极管-二极管直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):760mV@2A¥0.64757在线订购
    CFP5 (SOD128) Packaging
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    PMEG6020ETP,115肖特基二极管-二极管High-temperature 60 V, 2 A Schottky barrier rectifier¥1.54300在线订购
    PMEG6030ETPX肖特基二极管-二极管肖特基二极管 60V 750mW SMT SOD128 3A 360pF¥1.80684在线订购
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    应用案例

    • 资讯74HC138D,653(Nexperia)中文参数_主要特点_逻辑功能图_封装尺寸2024-09-12

      Nexperia 74HC138D,653 是一款高性能的3线至8线解码器/解复用器,常用于地址译码、数据分配等任务。该器件采用SOP-16封装,符合RoHS标准,设计紧凑,广泛应用于现代电子系统中。(安玛芯城IC现货网上商城) 74HC138D,653-逻辑符号 中文参数:   参数 数值 逻辑系列 74HC 输入线路数量 3 输出线路数量 8 电源电压范围 2V - 6V 工作电源电压 5V 工作温度范围 -40°C 至 +125°C 电源电流(最大) 0.008 mA 传播延迟时间 50 ns 封装类型 SO-16 高电平输出电流 -5.2 mA 低电平输出电流

    • 资讯74HC595PW(nexperia)移位寄存器中文参数_功能图_引脚图_封装尺寸2024-09-10

      Nexperia的 74HC595PW 是一款性能卓越的8位串入/串或并出移位寄存器,适用于需要高效数据转换和存储的电子系统。此芯片广泛应用于计数器、移位寄存器等领域,凭借其灵活的设计和出色的性能,已成为嵌入式系统设计中的核心元件。 (买安世电子料,上安玛芯城就够了) 74HC595PW功能图 中文参数   参数 数值或描述 封装 TSSOP-16 位数 8位 逻辑系列 74HC 输入类型 CMOS 输出类型 3态输出 传播延迟时间 175 ns, 35 ns, 30 ns 最大电源电压 6 V 工作温度范围 -40°C 至 +125°

    • 资讯BC807-40,215(Nexperia)双极结型晶体管中文资料_封装尺寸_回流焊脚信息2024-09-07

        Nexperia BC807-40,215是一款高性能的PNP型双极结型晶体管,采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装封装,专为现代电子应用设计。该晶体管以其高电流处理能力、稳定性能及通过的AEC-Q101认证,成为各类通用电子电路的理想选择,广泛应用于汽车和消费类电子产品中。

    • 资讯安世半导体携多款先进产品和解决方案亮相PCIM Asia 20242024-09-03

      8月28日至30日,全球领先的半导体解决方案提供商安世半导体在PCIM Asia 2024展会上大放异彩,展示了其强大的技术实力与创新成果。此次参展,安世半导体精心筹备,携四大产品线共23款先进产品和解决方案震撼亮相,为工程师的设计创新注入新活力。

    • 资讯Nexperia推出采用DFN2020D-3封装的功率双极结型晶体管2024-09-03

      全球基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近期宣布了一项重要产品扩展计划,其备受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)系列再添新成员。此次,Nexperia隆重推出了二十款新型BJT产品,涵盖标准与汽车级应用,均采用先进的DFN2020D-3封装技术。这一举措不仅丰富了其BJT产品线,更彰显了Nexperia在技术创新与市场响应速度上的领先地位。

    • 资讯Nexperia、东芝和Navitas扩展MOSFET产品线以应对高效能需求2024-08-27

      随着电动车、可再生能源和数据中心等领域对高效、高性能组件需求的持续上升,电源管理系统的复杂性也随之增加,市场对更先进和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。对此,Nexperia、东芝和Navitas等公司纷纷扩展了各自的MOSFET产品线,以满足行业的挑战和机遇。Navitas、东芝和Nexperia的新型MOSFETNexperia最近扩展了其NextPowe

    • 资讯Nexperia扩展NextPower MOSFET产品线,助力高效能应用2024-08-13

      全球基础半导体器件领域的高产能生产领军者Nexperia(安世半导体)近日宣布了一项重要战略举措,旨在持续强化其NextPower系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的产品阵容。此次扩充聚焦于80V和100V MOSFET产品,通过引入多款采用行业标准化5x6mm与8x8mm封装尺寸的新型LFPAK器件,进一步丰富了市场选择。

    • 资讯Nexperia扩展NextPower系列MOSFET阵容,引领高效低噪新纪元2024-08-07

      2024年8月7日,全球领先的半导体解决方案提供商Nexperia宣布,其NextPower 80V及100V MOSFET产品线再次迎来重大扩充,成功推出了采用标准化5x6mm及8x8mm封装的创新LFPAK系列器件。这些精心设计的NextPower MOSFET,以超低的RDS(on)(导通电阻)与卓越的Qrr(反向恢复电荷)性能为亮点,旨在服务器、电源供应、高速充电器、USB-PD应用以及广泛的电信、电机控制等工业领域,实现前所未有的能效提升与尖峰电压抑制。

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