工业和扩展测试设备是高速 DDR3/3L 同步 DRAM 通过 Insignis 专有扩展测试流程进行检测，可减少早期故障，并具有确保工业用途的优质质量和长期可靠性。该芯片的设计符合所有 DDR3L DRAM的关键特性，包括与 DDR3 的完全向后兼容性，唯一的例外是 1 Gb DDR3 部件和 1 Gb DDR3L 部件之间所需的电压。所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK 上升和 CK# 下降）被锁定。所有 I/O 均可以源同步方式与差分 DQS 对同步。
所有 2 Gb DDR3 部件均可由 2 Gb DDR3L 覆盖。2 Gb DDR3 和 DDR3L 部件可采用 +1.35 V 至 0.067 V/+0.1 V 单电源供电。1 Gb DDR3 部件的所需电压为 1.5 V，而 1 Gb DDR3L 部件的所需电压为 1.35 V。所有部件均可采用 BGA 封装。