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STL12N10F7 STripFET™ F7 功率 MOSFET
STMicroelectronics 的 STL12N10F7 （STL12N10F7 STripFET™ F7 Power MOSFET）采用 STripFET F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低导通电阻
发布时间：2018-10-11
STMicroelectronics 的 STL12N10F7 N 沟道 100 V、11.3mΩ 典型电阻、12 A 功率 MOSFET 采用PowerFLAT™3.3 x 3.3 封装和 STripFET F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构且可实现极低导通电阻，同时还可降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
STL12N10F7 STripFET™ F7 功率 MOSFET特性
市面上最小的 RDS(ON)
出色的 FoM（品质因数）
最低 Crss/Ciss 比率，以增强抗 EMI 性能
高雪崩稳固性
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STL12N10F7 | MOSFETs-晶体管 | N-CHANNEL 100V 12A STRIPFET F7 P | 在线订购 |
应用案例
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STM32使用内部晶振还是外部晶振？ 在设计和开发STM32应用时，有两种主要的时钟源选择可供选择：内部晶振和外部晶振。 内部晶振是集成在STM32芯片中的一个振荡器，它为芯片提供时钟信号。与之相比，外部晶振是一个独立的元件，需要外部连接到芯片上。下面是对这两种时钟源进行详细比较的一些因素。 1. 精度和稳定性：外部晶振通常提供更高的精度和稳定性，因为它们经过专门设计和制造。与之相比，内部晶振的精度和稳定性较低。 2. 成本：内部晶
资讯在GD32F103移植STM32F103代码2023-12-15
使用相同FLASH和管脚数量相同的芯片，例如GDF103C8T6移植STM32F103C8T6程序。虽然两个款芯片的寄存器地址以及架构基本相同。但是需要注意的是GD32F10x主频是108兆，但是STM32F10x主频是72兆。所以需要针对以RCC时钟进行修改。
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资讯手把手教你基于RT-Thread Studio使用STM32单片机的PWM外设2023-09-28
目前我使用的是STM32L475系列单片机，是ali当时在PDD 50块钱卖的一个开发板，其他STM32单片机参考即可，这里会手把手教大家基于RTT Studio 来使用PWM。
资讯意法半导体加快边缘人工智能应用，助力企业产品智能化转型2023-12-14
点击上方 “ 意法半导体中国” ， 关注我们 ✦ ST Edge AI Suite 是意法半导体新推出的整合各种软件和工具的边缘人工智能开发套件，为开发者和企业在工业、汽车 / 出行、消费电子、通信设备中嵌入意法半导体人工智能芯片提供了一个更简单、更经济的解决方案 ✦ 意法 半导体为开发者和企业提供一个资源丰富的人工智能生态系统，包括各种硬件、免费软件和工具，以及合作伙伴提供的云服务和人工智能工具链 ✦ 让任何规
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资讯意法半导体2024秋招网申火热进行中2023-12-14
点击上方 “ 意法半导体中国” ， 关注我们 文末有福利 嗨~同学们，激动人心的消息 意法半导体2024秋招网申已经启动啦 等待着你们的加入 关于意法半导体 全球排名前列的半导体公司 全球百强创新企业 总部位于瑞士日内瓦 2022年公司总营 收161亿美元 全 球员工总数超 5万人 9,000多名 研发与产品设计人员 全球 14个 制造基地 80家办事处，遍及35个国家 服务全球 20多万 家客户 招聘对象 2024海内外应届硕士及以上毕业生 （可适当放
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