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CMSD2004S/CMSD2005S 高电压开关二极管

Central Semiconductor 高电压开关二极管（CMSD2004S/CMSD2005S High-Voltage Switching Diodes）采用 SOT-323 封装，提供 300 V 至 350 V 的反向重复峰值电压

发布时间：2018-10-11

Central Semiconductor 的 CMSD2004S 和 CMSD2005S 是通过外延平面工艺制造的双串联硅开关二极管。这些器件采用环氧树脂模塑 SOT-323 表面贴装封装，专为需要高电压能力的应用而设计。这些器件具有 300 V 至 350 V 的反向重复峰值电压 (VRRM)，同时还提供各种其它封装。

CMSD2004S/CMSD2005S 高电压开关二极管应用

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CMSD2004S and CMSD2005S High-Voltage Switching Diodes
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		CMSD2004S TR	时钟/计时 - IC 电池	DIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT323		在线订购
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