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    BLL8Hxx系列射频功率晶体管

    BLL8Hxx系列射频功率晶体管

    Ampleon推出BLL8Hxx系列射频功率晶体管(BLL8Hxx Family RF Power Transistors),具有集成的双面ESD,内部匹配和改善的坚固性

    发布时间:2018-09-13

    Ampleon推出其第8代50 V LDMOS技术的BLL8Hxx系列射频功率晶体管,用于L波段雷达应用。BLL8Hxx系列提供出色的宽带操作(1.2-1.4 GHz),输出功率为25,130,250和500 W(P,1 dB)。BLL8Hxx系列具有集成的双面ESD,内部匹配,改善的坚固性,高效率(典型值50%)和出色的热稳定性。

    • BLL8H0514-25: 25 W LDMOS晶体管,适用于0.5 GHz至1.4 GHz范围内的脉冲应用

    • BLL8H0514L(S)-130: 130 W LDMOS晶体管,适用于0.5 GHz至1.4 GHz范围内的脉冲应用

    • BLL8H1214LS-500: 500 W LDMOS功率晶体管,适用于1.2 GHz至1.4 GHz范围内的L波段雷达应用

    • BLL8H1214L(S)-250: 250 W LDMOS功率晶体管,适用于1.2 GHz至1.4 GHz范围内的L波段雷达应用

    BLL8Hxx系列射频功率晶体管特性

    • 易于控制功率

    • 集成双侧ESD保护

    • 脉冲格式具有高度灵活性

    • 出色的坚固性

    • 高效率

    • 出色的热稳定性

    • 专为宽带操作而设计(1.2 GHz至1.4 GHz)

    • 内部匹配,易于使用

    • 符合指令2002/95 / EC,关于有害物质限制(RoHS)


    BLL8Hxx系列射频功率晶体管应用

    1. 用于1.2 GHz至1.4 GHz频率范围内雷达应用的L波段功率放大器

    BLL8Hxx Family RF Power Transistors
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    BLL8H0514-25UMOSFETs-晶体管TRANS L-BAND LDMOS 25W SOT467C在线订购
    BLL8H0514L-130UMOSFETs-晶体管TRANS L-BAND LDMOS 130W SOT1135A在线订购
    BLL8H0514LS-130UMOSFETs-晶体管RFFETLDMOS100V17DBSOT1135B在线订购
    BLL8H1214L-250UMOSFETs-晶体管TRANS L-BAND LDMOS 250W SOT502A在线订购
    BLL8H1214LS-250UMOSFETs-晶体管RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B在线订购
    BLL8H1214L-500UMOSFETs-晶体管TRANS L-BAND LDMOS 500W SOT539A在线订购
    BLL8H1214LS-500UMOSFETs-晶体管TRANS L-BAND LDMOS 500W SOT539B在线订购

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