高速CMOS DDR同步DRAM通过Insignis专有的扩展测试流程进行审查，以减轻早期故障，确保工业用途的优质和长期可靠性。它有一个同步接口（所有信号都记录在时钟信号CK的上升沿）。数据输出发生在CK的两个上升沿，对SDRAM的读写访问是面向突发的; 访问从选定的位置开始，并以编程的顺序继续编程的位置数。访问以银行激活命令的注册开始，然后是读取或写入命令。

该器件提供可编程的读或写突发长度为2,4或8.可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。刷新功能（自动或自刷新）易于使用。此外，512 Mb DDR SDRAM具有可编程DLL选项。

通过具有可编程模式寄存器和扩展模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高存储器带宽的应用，因此该器件特别适用于高性能主存储器和图形应用。