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CGH27015 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
Wolfspeed 针对 LTE 通信功率放大器应用的 CGH27015 GaN HEMT（CGH27015 Gallium-Nitride (GaN) High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT)）
发布时间：2018-09-13
Wolfspeed 的 CGH27015 是专为高效率、高增益和宽带宽功能而设计的 GaN HEMT，因而是 VHF 通信、3G、4G、LTE 和 2.3 GHz 至 2.9 GHz BWA 放大器应用的理想选择。无与伦比的晶体管采用旋入式法兰封装。
CGH27015 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)特性
VHF：3.0 GHz 操作
30 W 峰值功率能力
15 dB 小信号增益
4.0 W PAVE，EVM < 2.0% 时
平均功率为 4 W 时，漏极效率为 28%
WiMAX 固定接入 802.16-2004 OFDM
WiMAX 移动接入 802.16e OFDMA
CGH27015 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)应用
放大器应用：
VHF 通信
3G
4G
LTE
2.3 GHz 至 2.9 GHz BWA
应用案例
资讯用于Wolfspeed 1200V SiC平台的UCC217xx和ISO5x5x半桥EVM用户指南2024-11-09
电子发烧友网站提供《用于Wolfspeed 1200V SiC平台的UCC217xx和ISO5x5x半桥EVM用户指南.pdf》资料免费下载
资讯Wolfspeed暂停德国SiC晶圆厂建设，德国半导体招商引资再遭重创2024-10-25
近期，美国半导体公司Wolfspeed宣布暂停在德国恩斯多夫(Ensdorf)建设碳化硅(SiC)晶圆厂的计划，此举引发了业界的广泛关注。Wolfspeed的决定恰逢英特尔也因营运危机而搁置马格德堡建厂案，进一步凸显了当前德国半导体产业面临的投资挑战。Wolfspeed原计划在德国投资30亿欧元，旨在增强其在碳化硅材料领域的生产能力，以满足电动车和新能源行业
资讯Wolfspeed已搁置在德国建立半导体工厂的计划2024-10-24
美国芯片巨头Wolfspeed于10月23日，即周三宣布，鉴于电动汽车市场的扩张速度减缓，公司已暂停在德国恩斯多夫筹建半导体工厂的项目。 早在今年6月，Wolfspeed就已透露，这座预计耗资30亿美元（折合当前人民币约213.49亿元）的工厂建设已被推后，且资金尚未落实，最早可能要到2025年中才能破土动工。该工厂旨在德国本土生产供应电动汽车的芯片，这一变动无疑凸显了欧盟在提升半导体自给率、减少对亚洲进口依赖方面的重重挑战。
资讯Wolfspeed获美国政府7.5亿美元资金支持2024-10-16
美国半导体制造商Wolfspeed近日宣布，已与美国商务部签署了一份不具约束力的初步条款备忘录。根据该备忘录，美国商务部计划依据《芯片和科学法案》向Wolfspeed直接提供高达7.5亿美元的资金支持。
资讯Wolfspeed助力捷豹TCS车队征战FE电动方程式上海站2024-09-26
阔别五年之久后，ABB 国际汽联电动方程式世界锦标赛(FE 电动方程式)在本周末终于回到了“梦开始的地方” — 中国。早在 2014 年，中国北京就成为了 FE 历史首场赛事的举办地。历经十年成长，如今 FE 电动方程式将以世界锦标赛的身份首次到访上海，在上海国际赛车场举办一周双赛。
资讯Wolfspeed碳化硅8寸工厂迎新进展2024-09-26
全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. (美国纽约证券交易所上市代码: WOLF) 于近日宣布了碳化硅芯片制造工厂和材料制造工厂近期关键性进展。
资讯Wolfspeed推出创新碳化硅模块2024-09-12
全球领先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一项重大技术创新，成功推出了一款专为可再生能源、储能系统以及高容量快速充电领域设计的碳化硅模块。这款模块以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片为核心，实现了前所未有的性能飞跃。
资讯Wolfspeed关闭6英寸碳化硅晶圆厂，德国建厂计划延后2024-08-26
知名碳化硅晶圆和外延片制造商Wolfspeed近期宣布了一项战略调整决策，决定关闭其位于美国北卡罗来纳州达勒姆的6英寸碳化硅晶圆生产设施，以应对成本控制的紧迫需求。尽管此举的具体员工影响尚未透露，但Wolfspeed强调了对达勒姆地区的长期承诺，并计划在同一地区的查塔姆县投资建设一座全新的工厂，预计将为当地创造1800个工作岗位。
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