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700 V CoolMOS™ P7 功率晶体管
Infineon 的 600 V CoolMOS P7 SJ MOSFE T （600 V CoolMOS™ P7 Power Transistors）采用 TO-247 4 引脚封装，具有不对称引线
发布时间：2018-09-13
Infineon 丰富的 600 V CoolMOS P7 SJ MOSFET 产品系列现在包括标准 TO-247 4 引脚封装的改进版本。TO-247 4 引脚具有非对称引线，其关键引线之间的爬电距离增加了0.54 mm，可实现更平滑的波峰焊接并降低板良率损失。用作栅极驱动电压基准电位的源极（开尔文连接）的上额外连接消除了源极电感上的电压降影响，从而实现更快的开关瞬变，最终显着提高效率。这样可以实现更高的 MOSFET R DS(on) 利用率并节省 BOM 成本。CoolMOS P7 是 Infineon 的最佳平衡技术，能够在易用性和最高能效之间实现优化平衡。
TO-247 4引脚概念（TO-247与TO-247 4引脚）
700 V CoolMOS™ P7 功率晶体管特性
优势
适用于硬开关和软开关（PFC 和 LLC）
通过低振铃趋势和使用 PFC 和 PWM 级来实现易用性和快速设计
由于低开关和传导损耗，简化了热管理
由于 > 2 kV ESD 保护，制造质量更高
通过使用封装更小的产品实现更高的功率密度解决方案
适用于各种应用和功率范围
降低寄生源电感对栅极电路的影响，实现更快的开关操作和更高的效率
利用开尔文源效率的优势，可以使用更高的 MOSFET R DS(on) 并降低 BOM 成本
爬电距离满足 5000米 高度要求
更容易由客户设计
不对称引线可简化波峰焊接，并提高电路板良率损失
特性
出色的换向稳健性
效率和易用性之间的优化平衡
显着降低开关和传导损耗
所有产品均具有出色的 ESD 稳定性> 2 kV (HBM)
媲美竞争对手的更优 RDS(on) / 封装，得益于低 RDS(on) x A（小于 1 Ω x mm2）
大型产品组合，提供粒度 RDS(on) 选择，以满足各种不同的工业和消费类应用的要求
第 4 引脚（开尔文源）
增加高压引脚之间的爬电距离
门信号优化
不对称引线会增加了关键引脚的距离
700 V CoolMOS™ P7 功率晶体管应用
电信
服务器
太阳能
工业
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | IPZA60R180P7XKSA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4 | 在线订购 | |
 | | IPZA60R120P7XKSA1 | MOSFETs-晶体管 | 通孔 N 通道 600 V 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO247-4 | ￥24.57410 | 在线订购 |
 | | IPZA60R099P7XKSA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4 | 在线订购 | |
| | IPZA60R080P7XKSA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4 | 在线订购 | |
| | IPZA60R060P7XKSA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4 | 在线订购 | |
| | IPZA60R037P7XKSA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4 | ￥62.15000 | 在线订购 |
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