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TP65H035WS 共源共栅氮化镓 (GaN) FET
Transphorm 的 TP65H035WS 共源共栅 GaN FET （TP65H035WS Cascode Gallium Nitride (GaN) FET）采用 TO-247 封装，具有出色的可靠性和性能
发布时间：2018-09-13
Transphorm 的 TP65H035WS 650 V、35 mΩ GaN FET 是一款常闭器件。该器件结合了先进的高电压 GaN HEMT 和低电压硅 MOSFET 技术，具有出色的可靠性和性能。
Transphorm 的 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提升了硅器件的效率。
TP65H035WS 共源共栅氮化镓 (GaN) FET特性
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
动态 RDS(ON)eff 生产检验
较低 QRR
降低了交越损耗
符合 RoHS 规范且无卤素的封装
通过以下方式实现了稳健的设计：
本征使用寿命测试
宽栅极安全裕量
瞬态过压能力
TP65H035WS 共源共栅氮化镓 (GaN) FET应用
数据通信
广泛的工业
光伏逆变器
伺服电机
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TP65H035WS | MOSFETs-晶体管 | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | ￥137.54208 | 在线订购 |
应用案例
资讯瑞萨完成对Transphorm的收购2024-06-21
加速宽禁带产品供应并推出15款全新基于GaN的成功产品组合参考设计 2024 年 6 月 20 日，日本东京讯 ― 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）今日宣布，已于2024年6月20日完成对氮化镓（GaN）功率半导体全球供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）的收购。随着收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于GaN的功率产品和相关参考设计，以满足对宽禁带（WBG）半导体产品日益增长的需求。 与传统的硅基器件相比，GaN和碳
资讯Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件2024-04-25
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子，TWSE：2436）今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起，组成首个基于 Transphorm SuperGaN® 平台的系统级封装氮化镓产品系列。 新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和Tra
资讯瑞萨电子收购氮化镓供应商Transphorm2024-01-23
瑞萨电子近日宣布了一项重大收购，以每股5.10美元的价格收购美国氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm。这次收购总额为3.39亿美元，相当于24.34亿元人民币。相比1月10日的收盘价，此次收购溢价约35%。
资讯Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线2024-01-19
加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程，该制造工艺不仅可靠性高，而且具有良好的成本效益，
资讯瑞萨宣布收购Transphorm，双方已达成最终协议2024-01-19
此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约合人民币24.27亿元）。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术。
资讯瑞萨豪掷3.39亿美元收购Transphorm，押宝GaN技术2024-01-12
在科技领域的巨浪中，瑞萨电子以35%的溢价宣告了一项重磅收购。1月11日，瑞萨电子正式宣布与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm达成最终协议，按照协议的规定，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的高价收购Transphorm，总估值达到了3.39亿美元。 据百能云芯电.子元器.件商.城了解，此次收购将赋予瑞萨电子自主GaN技术，进一步拓展其业务领域，将目光瞄准电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电力转换等多个高速增长的
资讯瑞萨宣布收购Transphorm，大举进军GaN2024-01-12
全球半导体解决方案供应商 瑞萨 电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%，较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%，较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。 此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材
资讯Transphorm发布两款应用于两轮和三轮电动车电池充电器的参考设计2023-12-27
新设计工具有助于加速两轮电动车市场的产品设计，并帮助系统工程师充分利用SuperGaN FET的优势 2023 年 12 月 21 日 －全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码TGAN）宣布推出两款面向电动车充电应用的全新参考设计。300W和600W恒流/恒压（CC/CV）电池充电器采用 Transphorm 的70毫欧和150毫欧 SuperGaN® 器件，以极具竞争力的成本实现高效的 AC-DC 功率转换和高功率密度。这两款参考设计旨在帮助两轮和三轮电动车充电器快速实
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