IQD Frequency Products 的 OCXO 具有超高的压电性能，稳定性低至不到 ±1 ppb（十亿分之几）。OCXO 的频率稳定性甚至优于 TCXO。通过在烘箱中加热晶体并保持石英温度固定，减小了温度变化引起的石英晶体频率漂移。低相位噪声是当今应用的关键要求，IQD 的 OCXO 实现了卓越的相位噪声性能，1 Hz 偏移时低至 -113 dBc/Hz，1 MHz 偏移时低至 -182dBc/Hz。OCXO 传统上采用高功耗大通孔封装，然而最新的技术意味着这类器件现在可以采用功耗更低，体积更小的 SMD 封装。

IQOV-162

IQD 的 IQOV-162 系列 OCXO 采用行业标准 SMD 封装，尺寸为 14 mm x 9.0 mm x 6.5 mm，其在 -40°C 至 +85°C 的整个工业温度范围内频率稳定性为 ±20 ppb。超小型 OCXO 的频率为 10.0 MHz、12.80 MHz、19.20 MHz、20.0 MHz 和 38.88 MHz。这类器件采用 3.3 V 电源供电，提供 HCMOS 15 pF 负载输出。IQOV-162 具有1 kHz 偏移时 -150dBc/Hz、100 kHz 偏移时 -155 dBc/Hz 的出色相位噪声性能，以及每年最大 ±500 ppb 的出色抗老化性能。OCXO 提供一个电压控制选项，用于通过调节频率来进行校正，且可牵引范围为 ±3 ppm 至 ±8 ppm。

IQOV-162 系列主要用于 4G/LTE 基站、ATM 背板、毫微微蜂窝基站、光纤网络、SATA 和卫星通信等应用，或者要求 OCXO 外形非常扁平的应用。

IQOV-164

IQOV-164 系列 OCXO 采用行业标准 5 引脚欧式封装，尺寸为 36 mm x 27 mm x 13.5 mm，在 -20°C 至 +70° 工作温度范围内实现了 ±0.2 ppb 的卓越频率稳定性。这种超高稳定性 OCXO 还可以在 -30°C 至 +75°C 的更大温度范围内工作，且温度稳定性能仅有 ±0.7 ppb 的轻微下降。该 OCXO 的频率范围为 10 MHz 至 40 MHz，其预热仅需 3 分钟且此期间功耗为 7.0 W。其设计电源为 3.3 V 并向 50 欧姆负载提供正弦波输出；也可提供 HCMOS 输出。相位噪声性能通常为100 kHz 时 -145 dBc/Hz、100 kHz 偏移时 -158 dBc/Hz；IQOV-164 可通过不同的频率牵引选项指定，以抵消老化影响。短期稳定性为 1E-11/S，典型老化率为每天 ±0.2 ppb、每年 ±10 ppb，具体取决于所需的规格。MTIE/TDEV 测试适用于此型号。

IQOV-164 系列主要用于 4G/LTE 和 5G 基站、GPS、点对点通信、雷达、同步光纤网络 (SONET)/同步数字系列 (SDH)、同步以太网以及测试、测量等应用。