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    MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管

    MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管

    NXP 的 MMRF5017HS 高增益和高坚固性使该器件(MMRF5017HS RF Power GaN Transistor)非常适合用于连续波、脉冲和宽带射频应用

    发布时间:2018-09-13

    NXP 的 MMRF5017HS 125 W 射频功率 GaN 晶体管能够在 30 MHz 至 2200 MHz 的宽频带内工作,非常适合用于连续波、脉冲和宽带射频应用。对于工作在 30 MHz 至 2200 MHz 频段的应用,提供性能保证。

    MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管特性

    • 先进的 GaN on SiC 技术,实现了高功率密度

    • 十年带宽性能

    • 输入匹配,以扩展宽带性能

    • 高坚固性:> 10:1 VSWR

    • 符合 RoHS 规范

    MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管应用

    1. 公共移动无线电,包括应急服务无线电

    2. 工业、科技和医疗 (ISM)

    3. 宽带实验室放大器

    4. 无线蜂窝基础设施

    MMRF5017HS RF Power GaN Transistor
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    MMRF5017HSR5MOSFETs-晶体管RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S¥1850.24781在线订购

    应用案例

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      在汽车技术不断进步的今天,智能化已成为汽车行业发展的主要趋势之一。本次研讨会大联大世平集团NXP产线的技术大咖,将带领大家深入探讨NXP的SmartAccessCar技术,说明如何通过NXP产品设计提升汽车的安全性、便利性和使用者体验。研讨会将涵盖NXPMCU/NFC等方面的最新解决方案,并探讨这些技术如何改变未来汽车的设计和应用。研讨会内容大纲:解析NXP

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