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MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管
NXP 的 MMRF5017HS 高增益和高坚固性使该器件（MMRF5017HS RF Power GaN Transistor）非常适合用于连续波、脉冲和宽带射频应用
发布时间：2018-09-13
NXP 的 MMRF5017HS 125 W 射频功率 GaN 晶体管能够在 30 MHz 至 2200 MHz 的宽频带内工作，非常适合用于连续波、脉冲和宽带射频应用。对于工作在 30 MHz 至 2200 MHz 频段的应用，提供性能保证。
MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管特性
先进的 GaN on SiC 技术，实现了高功率密度
十年带宽性能
输入匹配，以扩展宽带性能
高坚固性：> 10:1 VSWR
符合 RoHS 规范
MMRF5017HS 射频功率 GaN 晶体管应用
公共移动无线电，包括应急服务无线电
工业、科技和医疗 (ISM)
宽带实验室放大器
无线蜂窝基础设施
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | MMRF5017HSR5 | MOSFETs-晶体管 | RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S | ￥2309.34676 | 在线订购 |
应用案例
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