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MDmesh™ K5 功率 MOSFET
STMicroelectronics 的 MDmesh K5 系列 MOSFET（MDmesh™ K5 Power MOSFET） 设计用于反激式转换器
发布时间：2018-09-13
这些 STx8N120K5 1,200 V、2Ω（最大值）、6 A MOSFET 器件完善了 STMicroelectronics 的极高压 MOSFET 产品组合，采用 ST 专有的 MDmesh K5 超结技术进行了全面开发，以提高功率密度和效率。
得益于极低的 RDS（on）、同类最佳的栅极电荷（Qg）以及易于使用的高效设计，ST 的 MDmesh K5 MOSFET 非常适合计量、电信、电信、板载充电器和 3 相辅助电源应用中的反激式转换器。
MDmesh™ K5 功率 MOSFET特性
业内最小的 RDS(on) x 面积之一
业内最佳的 FoM（品质因数）之一
超低栅极电荷
100% 雪崩测试
齐纳保护
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STP8N120K5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 1200V 6A TO220 | ￥17.72280 | 在线订购 |
 | | STW8N120K5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 1200V 6A TO247 | ￥16.30800 | 在线订购 |
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