购物车
上传BOM
NCP110 200 mA LDO 稳压器具有低 VIN、低噪声和高 PSRR
ON Semiconductor 的 NCP110 LDO 稳压器（NCP110 200 mA LDO Regulator with Low VIN, Low Noise, and High PSRR）实现了一个超低电压、低噪声、高 PSRR 和低静态电流的独特组合
发布时间：2018-09-13
ON Semiconductor 的 NCP110 是线性稳压器，能够从 1.1 V 输入电压提供 200 mA 输出电流。NCP110 提供从 0.6 V 到高至 4.0 V 的宽输出范围，具有超低噪声和高 PSRR，是高精度模拟和 Wi-Fi 应用的理想选择。
该器件采用创新的新架构，可实现超低电压、低噪声、高 PSRR 和低静态电流的独特组合。由于静态电流低、VIN 低和存在压差，因此 NCP110 是电池供电型连网设备（诸如智能手机、平板电脑和无线物联网模块）的理想选择。
该器件设计可与 1 µF 输入和 1 µF 输出陶瓷电容器配套使用。它采用超小型 0.65 mm x 0.65 mm 芯片级封装 (CSP) 的 0.35P 和 1 mm x 1 mm 的 XDFN4 0.65P 尺寸。
NCP110 200 mA LDO 稳压器具有低 VIN、低噪声和高 PSRR特性
1.1 V 的低 VIN
8.8 µ Vrms 的超低噪声
在 1 kHz 时 95 dB 的高 PSRR
20 µA 的低静态电流
采用 0.65 mm x 0.65 mm 的 CSP4 和 1 mm x 1 mm 的 xDFN4 小型封装
非常适用于噪声敏感型应用
特别适用于功率敏感型器件
电池供电型应用的理想选择
适用于空间受限型应用
NCP110 200 mA LDO 稳压器具有低 VIN、低噪声和高 PSRR应用
电池供电型设备
无线设备和 LAN 设备
便携式医疗设备
RF、PLL、VCO 和时钟电源
智能手机、平板电脑
数码相机
电池供电型物联网模块
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | NCP110AMX105TBG | 线性稳压器/LDO-电源管理 | IC REG LINEAR 1.05V 200MA 4XDFN | ￥5.17450 | 在线订购 |
 | | NCP110AMX110TBG | 线性稳压器/LDO-电源管理 | PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 200mA 4-XDFN（1x1） | 在线订购 | |
| | NCP110AMX180TBG | 线性稳压器/LDO-电源管理 | NCP110AMX180TBG | ￥1.24017 | 在线订购 |
| | NCP110AMX280TBG | 线性稳压器/LDO-电源管理 | IC REG LINEAR 2.8V 200MA 4XDFN | ￥1.24017 | 在线订购 |
| | NCP110AMX120TBG | 线性稳压器/LDO-电源管理 | IC REG LINEAR 1.2V 200MA 4XDFN | 在线订购 |
| 文档名称 | 类型 | 大小 | 更新日期 | 查看次数 | 下载 |
|---|---|---|---|---|---|
| XDFN4 1.0x1.0, 0.65P | | 29KB | 736次 |  | |
| WLCSP4 0.64x0.64 | | 27KB | 744次 | | |
| Low VIN, Low Noise and High PSRR LDO Regulator, 200 mA | | 77KB | 697次 | | |
| NCP110datasheet | | - | |
应用案例
资讯解析AMR设计关键要素：传感器、可见光通信驱动器、电源方案等2025-01-11
自主移动机器人设计涉及各种重要器件，例如电机控制、传感器、电源、照明和通信器件等。上一篇推文“AMR电机控制方案超强整理”中，我们介绍了电机控制方案，本文将继续介绍传感器方案、可见光通信驱动器、电源方案等。 传感器方案 传感器技术还在不断进步，目前的新进展使 AMR 能够以更高的准确度和精确度穿行于复杂空间并与周围环境进行交互。 安森美（onsemi） 为 AMR 提供了丰富的传感器技术，使其能够满足各式各样的感知要求。
资讯简要解析AMR电机控制方案2025-01-10
人工视觉、传感器与控制算法日益进步，机器人也正变得越来越智能，现在已经能够自主执行一些复杂的任务，例如移动、抓取和定位物体。自主移动机器人 (AMR) 具有多种优势，例如提高效率、降低人力成本和提升安全性，目前已在许多行业得到普遍应用，包括制造业、医疗保健、物流和仓储、农业、零售业和酒店业。本文为白皮书第一篇，将重点讲解电机控制方案。
资讯安森美碳化硅应用于栅极的5个步骤2025-01-09
在之前的两篇推文中粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战？5步法应对碳化硅特定挑战，mark~，我们介绍了宽禁带半导体基础知识、碳化硅制造挑战、碳化硅生态系统的不断演进、安森美（onsemi）在碳化硅半导体生产中的优势。本文为白皮书第三篇，将重点介绍应用于栅极的 5 个步骤。
资讯安森美成功收购纽约州德威特GaN晶圆制造厂，助力技术布局！2025-01-08
近日，全球领先的半导体解决方案供应商安森美(onsemi)宣布，以2000万美元的价格成功收购位于美国纽约州德威特的原NexGenPowerSystems氮化镓(GaN)晶圆制造厂。这项交易受到业界广泛关注，标志着安森美在功率半导体领域的进一步布局。该晶圆制造厂最初由纽约州政府斥资近1亿美元建造，旨在推动当地先进制造业的发展。然而，由于市场波动和企业运营问题
资讯安森美2024年度大事记回顾2025-01-08
让我们通过年度十大新闻回顾这些重要时刻！
资讯安森美在碳化硅半导体生产中的优势2025-01-07
此前的文章“粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战”中，我们讨论了宽禁带半导体基础知识及碳化硅制造挑战，本文为白皮书第二部分，将重点介绍碳化硅生态系统的不断演进及安森美（onsemi）在碳化硅半导体生产中的优势。
资讯安森美解读SiC制造都有哪些挑战？粉末纯度、SiC晶锭一致性2025-01-05
硅通常是半导体技术的基石。然而，硅也有局限性，尤其在电力电子领域，设计人员面临着越来越多的新难题。解决硅局限性的一种方法是使用宽禁带半导体。 本文为白皮书第一部分，将重点介绍宽禁带半导体基础知识及碳化硅制造挑战。 宽禁带半导体 顾名思义，宽禁带半导体（例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)），是通过其最重要的电气特性“禁带”来描述的一类半导体。禁带是价带顶部和导带底部之间的能量差。类似硅的半导体具有相对较窄的禁
资讯SiC MOSFET如何选择栅极驱动器2025-01-02
硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车（EV）等。然而，市场对更小型化产品的需求，以及设计人员面临的提高电源能效的压力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成为这些应用中受欢迎的替代品。
工商网监
