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    LDMOS 射频功率晶体管

    LDMOS 射频功率晶体管

    NXP 的 LDMOS 射频功率晶体管(LDMOS RF Power Transistors)采用标准的 TO-247 和 TO-220 封装

    发布时间:2018-09-13

    NXP Semiconductors 提供两个电源模块,有望扩展射频功率产业并成为未来几年的标准。这些 LDMOS 晶体管的简单性在于无处不在的 TO-247 和 TO-220 功率封装还具有射频功率能力,从而易于安装。TO-247 和 TO-220 封装可使安装射频功率晶体管采用简单的通孔技术,因此无需复杂的回流焊工艺,大大简化了制造。紧凑型参考电路可在 1.8 MHz 至 250 MHz 范围内重复使用,从而为大多数 HF 和 VHF 系统节省大量成本并简化供应链。

    LDMOS 射频功率晶体管特性

    • 频段内的 PA 设计重复使用

         MRF300AN 由一系列共享相同 PCB 布局 (2" x 3” 或 5.1 cm x 7.1 cm) 的窄带参考电路支持,从而使得射频设计人员能够生成功率放大器以快速处理其他频率

    • 二引脚配置可实现宽带设计

         100 W 和 300 W 解决方案均采用 2 引脚相互映射的方式,以支持推挽式配置

    • 成本低廉、安装灵活

         许多安装选项提供了极大的灵活性,有助于进一步缩短物料清单和上市时间

         无处不在的 TO-247 和 TO-220 封装可采用简单的通孔技术安装射频功率晶体管,无需复杂的回流焊工艺,显著提高了制造过程中的可用性

    LDMOS 射频功率晶体管应用

    一、工业、科技和医疗 (ISM)

    1. 激光发生

    2. 等离子蚀刻

    3. 粒子加速器

    4. MRI 和其它医疗应用

    5. 工业加热、焊接和干燥系统


    二、广播

    1. 无线电广播

    2. VHF TV 广播


    三、开关模式电源


    四、航空航天

    1. VHF 全向性范围 (VOR)

    2. HF 和 VHF 通信

    3. 雷达


    五、移动无线电

    1. VHF 和 UHF 基站

    2. 业余无线电

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