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LDMOS 射频功率晶体管
NXP 的 LDMOS 射频功率晶体管（LDMOS RF Power Transistors）采用标准的 TO-247 和 TO-220 封装
发布时间：2018-09-13
NXP Semiconductors 提供两个电源模块，有望扩展射频功率产业并成为未来几年的标准。这些 LDMOS 晶体管的简单性在于无处不在的 TO-247 和 TO-220 功率封装还具有射频功率能力，从而易于安装。TO-247 和 TO-220 封装可使安装射频功率晶体管采用简单的通孔技术，因此无需复杂的回流焊工艺，大大简化了制造。紧凑型参考电路可在 1.8 MHz 至 250 MHz 范围内重复使用，从而为大多数 HF 和 VHF 系统节省大量成本并简化供应链。
LDMOS 射频功率晶体管特性
频段内的 PA 设计重复使用
MRF300AN 由一系列共享相同 PCB 布局 (2" x 3” 或 5.1 cm x 7.1 cm) 的窄带参考电路支持，从而使得射频设计人员能够生成功率放大器以快速处理其他频率
二引脚配置可实现宽带设计
100 W 和 300 W 解决方案均采用 2 引脚相互映射的方式，以支持推挽式配置
成本低廉、安装灵活
许多安装选项提供了极大的灵活性，有助于进一步缩短物料清单和上市时间
无处不在的 TO-247 和 TO-220 封装可采用简单的通孔技术安装射频功率晶体管，无需复杂的回流焊工艺，显著提高了制造过程中的可用性
LDMOS 射频功率晶体管应用
一、工业、科技和医疗 (ISM)
激光发生
等离子蚀刻
粒子加速器
MRI 和其它医疗应用
工业加热、焊接和干燥系统
二、广播
无线电广播
VHF TV 广播
三、开关模式电源
四、航空航天
VHF 全向性范围 (VOR)
HF 和 VHF 通信
雷达
五、移动无线电
VHF 和 UHF 基站
业余无线电
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