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      型号：DIO2352SO8精密放大器

      品牌：DIOO

      封装：SOIC8_150MIL

      描述：
      30μVos，1.2MHZ，RRIO CMOS高精度放大器
      编号：IC0445819

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      型号：MC34119G-SO8-R音频运算放大器

      品牌：UTC

      封装：SOP8_150MIL

      描述：
      音频运算放大器 SOP8_150MIL 2V~16V 1通道
      编号：IC0557475
      5+￥0.59569
      50+￥0.54019
      500+￥0.48469
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      型号：UT4421G-SO8-RMOSFETs

      品牌：UTC

      封装：SOP8_150MIL

      描述：
      P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W
      编号：DS0182765
      5+￥0.76954
      20+￥0.75542
      100+￥0.72718

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      型号：UT9564G-SO8-RMOSFETs

      品牌：UTC

      封装：SOP-8

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±25V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOP8
      编号：DS0137389
      1+￥1.218
      30+￥1.1745
      100+￥1.131
      500+￥1.044
      1000+￥1.0005
      2000+￥0.9744

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      型号：UC3843BP-SO8-RAC-DC开关电源芯片/离线转换开关

      品牌：UTC

      封装：SOP8_150MIL

      描述：
      高性能电流模式控制器
      编号：PM0187051
      5+￥0.7616
      20+￥0.748
      100+￥0.7208

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      型号：UTM6016G-SO8-RMOSFETs

      品牌：UTC

      封装：SOP8_150MIL

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252
      编号：DS0182766

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      型号：RLSO8A2.84LVESD抑制器/TVS二极管

      品牌：RUILON

      封装：SOIC8_150MIL

      描述：
      TVS/静电放电阵列
      编号：PD0007263
      1+￥1.595
      30+￥1.54
      100+￥1.43
      500+￥1.32
      1000+￥1.265

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      型号：SIR462DP-T1-GE3MOSFETs

      品牌：Vishay

      封装：SO8

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：4.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
      编号：DS0074654
      1+￥2.16799
      30+￥2.08999
      100+￥1.93399
      500+￥1.77799
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      型号：STS8DN3LLH5MOSFETs

      品牌：ST

      封装：SO8

      描述：
      MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 10A 2.7W 表面贴装型 8-SOIC
      编号：DS0102700
      1+￥4.77451
      10+￥4.40724
      30+￥4.33379

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      型号：SI4178DY-T1-GE3MOSFETs

      品牌：Vishay

      封装：SO8

      描述：
      表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
      编号：DS0079179
      1+￥1.87239
      10+￥1.72836
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      型号：LT6011AIS8#TRPBF精密放大器

      品牌：Linear

      封装：SO8

      描述：
      双/四路135µA，14nV/√Hz，轨对轨输出精密运算放大器
      编号：IC0358777

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      型号：LT1678CS8#TRPBF精密放大器

      品牌：Linear

      封装：SO8

      描述：
      双/四路低噪声、轨对轨、精密运算放大器
      编号：IC0358454

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      型号：AP4435CMOSFETs

      品牌：ALLPOWER

      封装：SO8

      描述：
      P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.7W
      编号：DS0182323
      1+￥0.42241
      10+￥0.38941
      30+￥0.38281
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      型号：IRF7805ZTRPBFMOSFETs

      品牌：Infineon

      封装：SO8

      描述：
      SO8,N-Channel,30V,16A,7mΩ
      编号：UN0003365
      1+￥1.81677
      10+￥1.65161
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      型号：IRF6216PBFMOSFETs

      品牌：Infineon

      封装：SO8

      描述：
      SO-8封装中的150V单P沟道HEXFET功率MOSFET
      编号：UN0003674
      1+￥6.88895
      10+￥6.26269
      30+￥5.84517
      100+￥5.21891
      500+￥4.92665
      1000+￥4.71789

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      型号：SI7454DDP-T1-GE3MOSFETs

      品牌：Vishay

      封装：SO8

      描述：
      表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
      编号：DS0079903
      1+￥5.56244
      10+￥5.13456
      30+￥5.04899
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      型号：IRF7809AVTRPBFMOSFETs

      品牌：Infineon

      封装：SO8

      描述：
      表面贴装型 N 通道 30 V 13.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
      编号：DS0080983
      1+￥5.87927
      10+￥5.39338
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      型号：AP2012SMOSFETs

      品牌：ALLPOWER

      封装：SO8

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
      编号：DS0182324
      1+￥0.40414
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      型号：AP6007SMOSFETs

      品牌：ALLPOWER

      封装：SO8

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W
      编号：DS0182312
      1+￥0.833
      30+￥0.80325
      100+￥0.7735
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      型号：AP4953AMOSFETs

      品牌：ALLPOWER

      封装：SO8

      描述：
      2个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：2W
      编号：DS0182326
      1+￥0.29
      30+￥0.28
      100+￥0.26
      500+￥0.24
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      型号：AP3010MOSFETs

      品牌：ALLPOWER

      封装：SO8

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：2.5W
      编号：DS0182038
      1+￥0.406
      100+￥0.378
      300+￥0.35
      500+￥0.322
      2000+￥0.308
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      + 对比

      型号：AP4407CMOSFETs

      品牌：ALLPOWER

      封装：SO8

      描述：
      P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.7W
      编号：DS0182320
      1+￥0.51975
      10+￥0.5005
      100+￥0.4543
      500+￥0.4312

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      型号：SI7898DP-T1-GE3MOSFETs

      品牌：Vishay

      封装：SO8

      描述：
      表面贴装型 N 通道 150 V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
      编号：DS0075952
      1+￥6.36597
      10+￥5.87628
      30+￥5.77834
      100+￥5.48453

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      型号：IRF8707GTRPBFMOSFETs

      品牌：Infineon

      封装：SO8

      描述：
      表面贴装型 N 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
      编号：DS0080852
      1+￥0.6126

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      型号：IRF7413ZTRPBFMOSFETs

      品牌：Infineon

      封装：SO8

      描述：
      表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
      编号：DS0076800
      1+￥1.7182
      10+￥1.5762
      30+￥1.5478
      100+￥1.4626

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      型号：ACPL-C79A-500E精密放大器

      品牌：Broadcom

      封装：SO8_5.85X6.81MM

      描述：
      精密放大器 SO8 VDD1=4.5~5.5V VDD2=3~5.5V
      编号：IC0331510
      1+￥39.82499
      10+￥38.34999
      100+￥34.80999
      500+￥33.03999

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      型号：LT1678IS8#TRPBF精密放大器

      品牌：Linear

      封装：SO8

      描述：
      双/四路低噪声、轨对轨、精密运算放大器
      编号：IC0358778

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      型号：LT1077IS8#TRPBF精密放大器

      品牌：Linear

      封装：SO8

      描述：
      微功率、单电源、精密运算放大器
      编号：IC0357903

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      型号：LC03-6ESD抑制器/TVS二极管

      品牌：Leiditech

      封装：SO8

      描述：
      ESD保护 VRWM=6 V VBR(Min)=6.8 V VC=20 V IPP=100 A Ppp=2 KW SO8
      编号：PD0000472

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      型号：IRF7201TRPBFMOSFETs

      品牌：Infineon

      封装：SO8

      描述：
      表面贴装型 N 通道 30 V 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） SO8
      编号：DS0080865
      1+￥1.57377
      100+￥1.44786

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