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      型号：RSS10065A肖特基二极管

      品牌：REASUNOS

      封装：TO220-2

      描述：
      肖特基二极管 VR=650V IF=29A IR=100μA CT=440pF TO220-2
      编号：DS0190470
      1+￥4.693
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      30+￥4.2598
      100+￥4.0432

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      + 对比

      型号：CRSS028N10NMOSFETs

      品牌：CR MICRO

      封装：TO263-3

      描述：
      场效应晶体管 N-MOSFET 100V, 2.5mΩ, 180A
      编号：DS0190321
      1+￥4.82425

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      「1000 / 原厂包装(Original)」

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      + 对比

      型号：CRSS037N10NMOSFETs

      品牌：CR MICRO

      封装：TO263-3

      描述：
      SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3mΩ, 120A TO263
      编号：DS0188474
      1+￥3.7125
      10+￥3.575
      100+￥3.1625
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      + 对比

      型号：CRSS042N10NMOSFETs

      品牌：CR MICRO

      封装：TO263-3

      描述：
      SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6mΩ, 120A TO263
      编号：DS0188468
      1+￥2.91
      10+￥2.6475
      30+￥2.4725
      100+￥2.21
      500+￥2.0875
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      + 对比

      型号：BM08B-SRSS-TB(LF)(SN)线对板连接器

      品牌：JST

      封装：Acessories_10X2.9MM_SM

      描述：
      线对板 间距1.00mm 8Pin 立贴 铜合金
      编号：CO0002404
      1+￥1.23256
      30+￥1.18916
      100+￥1.14576
      500+￥1.05896
      1000+￥1.01556
      2000+￥0.98952

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      + 对比

      型号：SM10B-SRSS-TB(LF)(SN)线对板连接器

      品牌：JST

      封装：Accessories_12X4.25MM_SM

      描述：
      线对板 间距：1mm 插针结构：1x10P 排数：1 每排PIN数：10 触头材质：铜合金
      编号：CO0002456
      1+￥2.156
      10+￥1.946
      50+￥1.778
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      型号：FDN327NMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-23

      描述：
      MOSFETs N-Channel Vdss=20V IGSS=±100nA Crss=80pF
      编号：ZHLM0353383
      1+￥0.61549
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      300+￥0.53342
      500+￥0.49239
      2000+￥0.47187
      5000+￥0.45957

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      型号：AOD484-VB可控硅/晶闸管/光电可控硅

      品牌：VBsemi

      封装：TO252

      描述：
      类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
      编号：DS39662469
      1+￥1.2742

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      型号：AO4409-VB可控硅/晶闸管/光电可控硅

      品牌：VBsemi

      封装：SOP-8

      描述：
      类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):13.5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,13.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
      编号：DS39662427
      1+￥1.9592
      10+￥1.8012
      30+￥1.7696

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      型号：IRF7240TRPBF-VB可控硅/晶闸管/光电可控硅

      品牌：VBsemi

      封装：SOP-8

      描述：
      类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):16.1A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,16.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
      编号：DS39662490
      1+￥2.2939
      30+￥2.2148
      100+￥2.0566
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      型号：NCE0117I可控硅/晶闸管/光电可控硅

      品牌：NCE

      封装：TO-251-3

      描述：
      类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):17A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.35nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):180pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
      编号：DS39662380
      1+￥1.84481
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      型号：MS50N06MOSFETs

      品牌：MSKSEMI

      封装：TO252

      描述：
      类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):900pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):33pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);
      编号：DS39687335
      1+￥0.57
      100+￥0.532
      300+￥0.494
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      型号：PMF63UNEXMOSFETs

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-323(SC70)

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0080757

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      型号：SI2301SMOSFETs

      品牌：MDD

      封装：SOT-23

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0145141
      1+￥0.08775
      10+￥0.0805
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      型号：TPNTK3134NT1GMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-723-3

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0142783

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      型号：PMDT290UCE,115MOSFETs

      品牌：Nexperia

      封装：SOT666

      描述：
      类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V；
      编号：DS0103399

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      型号：TPCJ2101MOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0142785
      1+￥0.08498

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      型号：AO7407MOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj)
      编号：DS0142791
      1+￥0.21767
      10+￥0.20942
      100+￥0.18963
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      型号：TPDMP2160UWMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj)
      编号：DS0142789
      1+￥0.14986

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