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型号：SA614AD/01,118 RF其它IC和模块

品牌：NXP

封装：SOIC16_150MIL

描述：

RF IC FM IF 系统手机，ASK，FSK 25MHz 配有 RSSI 16-SO

编号：RF0000008

1+	￥48.492
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型号：NCE0117I 可控硅/晶闸管/光电可控硅

品牌：NCE

封装：TO-251-3

描述：

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):17A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.35nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):180pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);

编号：DS39662380

1+	￥1.84481
10+	￥1.71981
30+	￥1.69481
100+	￥1.61981

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型号：MS50N06 MOSFETs

品牌：MSKSEMI

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):900pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):33pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);

编号：DS39687335

1+	￥0.57
100+	￥0.532
300+	￥0.494
500+	￥0.456
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5000+	￥0.4256

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型号：TPNTK3134NT1G MOSFETs

品牌：TECH PUBLIC

封装：SOT-723-3

描述：

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj)

编号：DS0142783

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型号：TPCJ2101 MOSFETs

品牌：TECH PUBLIC

封装：SOT-323

描述：

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj)

编号：DS0142785

1+ ￥0.08498

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型号：SI2301S MOSFETs

品牌：MDD

封装：SOT-23

描述：

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

编号：DS0145141

1+	￥0.08775
10+	￥0.0805
30+	￥0.07905
100+	￥0.0747

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型号：PMF63UNEX MOSFETs

品牌：Nexperia

封装：SOT-323(SC70)

描述：

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

编号：DS0080757

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型号：PMF250XNEX MOSFETs

品牌：Nexperia

封装：SOT-323(SC70)

描述：

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：275mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：212mΩ@4.5V,900mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.05nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：81pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：8.5pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

编号：DS0080746

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