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      型号：BC807-40通用三极管

      品牌：Hottech

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0138321
      5+￥0.07332
      50+￥0.06685
      500+￥0.06038
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      型号：BC807-40通用三极管

      品牌：UMW

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0185990
      50+￥0.08945
      150+￥0.07644
      1000+￥0.06344
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      型号：BC817-40通用三极管

      品牌：YANGJIE

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0182704
      1+￥0.094
      30+￥0.0915
      100+￥0.089
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      型号：MMBT3904DC通用三极管

      品牌：PJ

      封装：DFN3_1X0.6MM_EP

      描述：
      通用三极管 DFN3_1X0.6MM_EP NPN VCEO=40V VCE(sat）=0.3V Ic=0.2A PD=250mW
      编号：DS0190119
      50+￥0.0435
      500+￥0.03915
      5000+￥0.03625
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      型号：UC33063AG-D08-TDC/DC开关转换器

      品牌：UTC

      封装：DIP-8

      描述：
      DC-DC电源芯片 VCC=40V PD=1250mW ICC=2.7mA DIP8
      编号：PM0185546

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      型号：MMBT3906DC通用三极管

      品牌：PJ

      封装：DFN3_1X0.6MM

      描述：
      通用三极管 DFN3_1X0.6MM_EP PNP VCEO=40V VCE(sat）=0.4V Ic=200mA PD=250mW
      编号：DS0190118
      50+￥0.0493
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      型号：UMW HT7330-A线性稳压器及LDO

      品牌：UMW

      封装：SOT89-3

      描述：
      VIN=12V Vo=3V Io=250mA PD=400mW
      编号：IC0445377
      5+￥0.2822
      20+￥0.2573
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      型号：UMW HT7850-A线性稳压器及LDO

      品牌：UMW

      封装：SOT89-3

      描述：
      VIN=12V Vo=5V Io=250mA PD=400mW
      编号：IC0445384
      5+￥0.3485
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      型号：UMW HT7350-A线性稳压器及LDO

      品牌：UMW

      封装：SOT89-3

      描述：
      VIN=12V Vo=5V Io=250mA PD=400mW
      编号：IC0445380
      5+￥0.2822
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      型号：UMW HT7830-A线性稳压器及LDO

      品牌：UMW

      封装：SOT89-3

      描述：
      VIN=12V Vo=3V Io=250mA PD=400mW
      编号：IC0445381
      5+￥0.2822
      20+￥0.2573
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      型号：UMW HT7336-A线性稳压器及LDO

      品牌：UMW

      封装：SOT89-3

      描述：
      VIN=12V Vo=3.6V Io=250mA PD=400mW
      编号：IC0445379
      5+￥0.2822
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      型号：UMW HT7836-A线性稳压器及LDO

      品牌：UMW

      封装：SOT89-3

      描述：
      VIN=12V Vo=3.6V Io=250mA PD=400mW
      编号：IC0445383
      5+￥0.3485
      20+￥0.31775
      100+￥0.287
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      型号：UMW HT7333-A线性稳压器及LDO

      品牌：UMW

      封装：SOT89-3

      描述：
      VIN=12V Vo=3.3V Io=250mA PD=400mW
      编号：IC0445378
      5+￥0.2656
      20+￥0.2407
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      型号：UMW HT7833-A线性稳压器及LDO

      品牌：UMW

      封装：SOT89-3

      描述：
      VIN=12V Vo=3.3V Io=250mA PD=400mW
      编号：IC0445382
      5+￥0.3485
      20+￥0.31775
      100+￥0.287
      500+￥0.25625
      1000+￥0.2419
      2000+￥0.23165

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      型号：MMBT3906LT1G通用三极管

      品牌：ON

      封装：SOT-23

      描述：
      PNP Vceo=40V Ic=200mA Pd=300mW
      编号：DS0110101
      20+￥0.0847
      200+￥0.0792
      500+￥0.0737
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      型号：MMBT4401_R1_00001通用三极管

      品牌：PANJIT

      封装：SOT-23

      描述：
      三极管 NPN Vceo=40V Ic=600mA Pd=225mW
      编号：DS0143133
      1+￥0.091
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      500+￥0.078
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      型号：WSK140N08MOSFETs

      品牌：WINSOK

      封装：TO263-2

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：250W
      编号：DS0142556
      1+￥2.697
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      型号：LMBT3906WT1G通用三极管

      品牌：LRC

      封装：SOT-323

      描述：
      功率(Pd)：150mW 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 晶体管类型：PNP PNP Vceo=-40V Ic=-200mA
      编号：DS0143383
      1+￥0.08037
      30+￥0.0775
      100+￥0.07463
      500+￥0.06888
      1000+￥0.06601
      2000+￥0.06429

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      型号：BAV21W开关二极管（小信号）

      品牌：BLUE ROCKET

      封装：SOD-123

      描述：
      开关二极管（小信号） SOD123-2 Vrrm=250V VrWM=200V Vr=141V Ifm=400mA Io=200mA Pd=400mW
      编号：DS0182859
      1+￥0.06449
      100+￥0.06019
      300+￥0.05589
      500+￥0.0516
      2000+￥0.04945
      5000+￥0.04816

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      型号：NCEP40T17AMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
      编号：DS0189421
      1+￥4.04551
      30+￥3.90601
      100+￥3.62701
      500+￥3.348
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      型号：SL2301MOSFETs

      品牌：Slkor

      封装：SOT-23

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA
      编号：DS0142611
      1+￥0.119
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      100+￥0.1105
      500+￥0.102
      1000+￥0.09775
      2000+￥0.0952

      现货：1344（当天发货）

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      型号：SL2301SMOSFETs

      品牌：Slkor

      封装：SOT-23

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.4A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：140mΩ@4.5V,2.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
      编号：DS0142612
      5+￥0.06496
      20+￥0.0638
      100+￥0.06148

      现货：1063（当天发货）

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      型号：PMF370XN,115MOSFETs

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-323(SC-70)

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：870mA 功率(Pd)：560mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：440mΩ@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
      编号：DS0075334

      现货：0（当天发货）

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      型号：T2N7002BK,LMMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT-23

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：400mA 功率(Pd)：320mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.1V@250uA
      编号：DS0075139

      现货：0（当天发货）

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      型号：MMBT3904T通用三极管

      品牌：JSCJ

      封装：SOT-523-3

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：250mW 100~300
      编号：DS0185944
      20+￥0.09103
      200+￥0.08541
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      型号：TPCJ2101MOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0142785
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      型号：AO7407MOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj)
      编号：DS0142791
      1+￥0.21767
      10+￥0.20942
      100+￥0.18963
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      型号：TPDMP2160UWMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj)
      编号：DS0142789
      1+￥0.14986

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      型号：PMDT290UCE,115MOSFETs

      品牌：Nexperia

      封装：SOT666

      描述：
      类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V；
      编号：DS0103399

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      型号：MMBTA92,215通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：300V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：250mW 集电极截止电流(Icbo)：250nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@20mA,2mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：25@1mA,10V 特征频率(fT)：50MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0113161

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