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      型号：CYPS2501（KK）光电耦合器

      品牌：OCIC

      封装：DIP4_4.58X6.4MM

      描述：
      单向光耦 Viso=5000Vrms VF(typ)=1.2V IF=50mA CTR=80~600% DIP4
      编号：PH0094534
      5+￥0.357
      20+￥0.3255
      100+￥0.294
      500+￥0.2625
      1000+￥0.2478
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      型号：TPH2503-TR通用放大器

      品牌：3Peak

      封装：SOT23-6

      描述：
      250MHz,Precision,Rail‐to‐RailI/O,CMOSOp‐amps
      编号：IC0558166
      1+￥1.9575
      30+￥1.89
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      型号：PMF250XNEXMOSFETs

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-323(SC70)

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：275mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：212mΩ@4.5V,900mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.05nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：81pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：8.5pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0080746

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      型号：03450121H保险丝座

      品牌：Littelfuse

      封装：-

      描述：
      Fuse Holder 16A 250V 1 Circuit Cartridge PCB
      编号：CP0081402
      1+￥12.397

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      型号：TC1-1T+射频变压器

      品牌：Mini-Circuits

      封装：X-FMR5_3.81X3MM_SM

      描述：
      射频变压器 250mW 30mA X-FMR_3.81X3.81MM_SM
      编号：IC0557069
      1+￥8.31938
      30+￥8.0325
      100+￥7.45875
      500+￥6.885
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      型号：HFCN-440+RF滤波器

      品牌：Mini-Circuits

      封装：1206

      描述：
      高通滤波器 500~2500MHz 1.97dB
      编号：WF0018089
      1+￥21.39911
      10+￥20.60655
      100+￥18.22887
      500+￥17.75333

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      型号：ADE-25MH+RF混频器

      品牌：Mini-Circuits

      封装：SMD6

      描述：
      混频器电平，13（本振功率+13 dBm），5至2500 MHz
      编号：ZHLM0036761
      1+￥60.75
      10+￥58.5
      100+￥53.1
      500+￥50.4

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      型号：2N7002EM3T5GMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-723-3

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.85V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：42pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0142788
      5+￥0.13601
      50+￥0.12401
      500+￥0.11201
      1000+￥0.10001
      2500+￥0.0944
      5000+￥0.0896

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      型号：TPCJ2101MOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0142785
      1+￥0.08498

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      型号：AO7407MOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj)
      编号：DS0142791
      1+￥0.21767
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      500+￥0.17974

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      + 对比

      型号：TPDMP2160UWMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj)
      编号：DS0142789
      1+￥0.14986

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      型号：SI2301SMOSFETs

      品牌：MDD

      封装：SOT-23

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0145141
      1+￥0.08775
      10+￥0.0805
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      型号：PMF63UNEXMOSFETs

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-323(SC70)

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0080757

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      型号：PMDT290UCE,115MOSFETs

      品牌：Nexperia

      封装：SOT666

      描述：
      类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V；
      编号：DS0103399

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      型号：TPNTK3134NT1GMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-723-3

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0142783

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      型号：ISO7240CDWR数字隔离器

      品牌：TI

      封装：SOIC16_300MIL

      描述：
      隔离器的技术构架：Capacitive Coupling 类型：General Purpose 通道数：4 通道类型：Unidirectional 隔离电压：2500Vrms 数据速率：25Mbps
      编号：IS0011393
      1+￥16.2946

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      型号：ISO7421EDR数字隔离器

      品牌：TI

      封装：SOIC8_150MIL

      描述：
      隔离器的技术构架：Capacitive Coupling 类型：General Purpose 通道数：2 通道类型：Unidirectional 隔离电压：2500Vrms 数据速率：50Mbps
      编号：IS0012670
      1+￥10.95286
      30+￥10.57518
      100+￥9.81981
      500+￥9.06444
      1000+￥8.68675

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      型号：ISO7240MDWR数字隔离器

      品牌：TI

      封装：SOIC16_300MIL

      描述：
      隔离器的技术构架：Capacitive Coupling 类型：General Purpose 通道数：4 通道类型：Unidirectional 隔离电压：2500Vrms 数据速率：150Mbps ISO7240M 四通道 4/0 150Mbps
      编号：IS0012058
      1+￥16.89999
      10+￥15.59999
      30+￥15.33999

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      型号：NCE0117I可控硅/晶闸管/光电可控硅

      品牌：NCE

      封装：TO-251-3

      描述：
      类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):17A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):56mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.35nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):180pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
      编号：DS39662380
      1+￥1.81249
      30+￥1.74999
      100+￥1.62499
      500+￥1.49999
      1000+￥1.43749

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      型号：MS50N06MOSFETs

      品牌：MSKSEMI

      封装：TO252

      描述：
      类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):900pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):33pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);
      编号：DS39687335
      1+￥0.57
      100+￥0.532
      300+￥0.494
      500+￥0.456
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