搜索

MV-SF

...

分类：

 更多 +多选

清除条件

品牌：

 更多 +多选

清除条件

封装：

 更多 +多选

清除条件

供应商：

 更多 +多选

清除条件

按供应商展示按型号展示

综合价格库存销量

库存数量：确定

交期：确定

价格： -确定

仅现货 精确匹配

很抱歉，该筛选下没有找到与“MV-SF”相关的结果

您可以尝试删减部分搜索关键词或联系我们找货

免费人工找货批量询价

我们为您推荐类似“MV-SF”的搜索结果：

自营华秋库存

数据手册

+ 对比

型号：WPM2015-3/TR MOSFETs

品牌：WILLSEMI

封装：SOT-23

描述：

功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L

编号：DS0144830

5+	￥0.21359
50+	￥0.19559
500+	￥0.17759
1000+	￥0.15959
2500+	￥0.15119
5000+	￥0.14399

现货：3（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：WPM2031-3/TR MOSFETs

品牌：WILLSEMI

封装：SOT-723-3

描述：

功率MOSFET 20V 600mA 495mΩ@4.5V,450mA 360mW 650mV@250uA 10.2pF@10V P Channel 74pF@10V 1.67nC@4.5V +150℃@(Tj) SOT-723

编号：DS0187785

5+	￥0.28899
20+	￥0.2635
100+	￥0.238
500+	￥0.2125
1000+	￥0.2006
2000+	￥0.1921

现货：0（当天发货）

「8000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：WPM2087-3/TR MOSFETs

品牌：WILLSEMI

封装：SOT-23

描述：

功率MOSFET 20V 3.6A 34mΩ@4.5V,5A 900mW 750mV@250uA 108pF@10V P Channel 1.182nF@10V 12nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23

编号：DS0187779

5+	￥0.391
20+	￥0.3565
100+	￥0.322
500+	￥0.2875
1000+	￥0.2714
2000+	￥0.2599

现货：0（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：2301P MOSFETs

品牌：FM

封装：SOT-23

描述：

P沟道沟道功率MOSFET 20V 2.8A 110mΩ@10V,1A 840mW 650mV@250uA 42pF@10V P Channel 332pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3

编号：DS0182222

5+	￥0.05886
20+	￥0.05778
100+	￥0.05562

现货：1675（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：AO3400 MOSFETs

品牌：LGE

封装：SOT-23

描述：

N沟道（D-S）MOSFET 30V 5.8A 28mΩ@10V,2.9A 1.4W 900mV@250uA 77pF@15V N Channel 623pF@15V 9.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23

编号：DS0145049

5+	￥0.288
50+	￥0.261
500+	￥0.225
1000+	￥0.198
2500+	￥0.1854

现货：3100（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：WNM2020-3/TR MOSFETs

品牌：WILLSEMI

封装：SOT-23

描述：

功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道

编号：DS0143241

5+	￥0.20664
20+	￥0.18862
100+	￥0.1706
500+	￥0.15258
1000+	￥0.14417
2000+	￥0.13816

现货：22（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：YJL2301G MOSFETs

品牌：YANGJIE

封装：SOT-23

描述：

P沟道增强型场效应晶体管 15V 2A 82mΩ@4.5V,1.5A 700mW 620mV@250uA 29pF@10V P Channel 260pF@10V 3.9nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L

编号：DS0185971

现货：0（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：YJL2301C MOSFETs

品牌：YANGJIE

封装：SOT-23

描述：

P沟道增强型场效应晶体管 20V 3.4A 49mΩ@4.5V,3.4A 1W 620mV@250uA 65pF@10V P Channel 550pF@10V 4.3nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L

编号：DS0185977

1+	￥0.1209
10+	￥0.1116
30+	￥0.10974

现货：0（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：WPM2019-3/TR MOSFETs

品牌：WILLSEMI

封装：SOT-523-3

描述：

功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道

编号：DS0143419

5+	￥0.2731
20+	￥0.25034
100+	￥0.22758
500+	￥0.20482
1000+	￥0.1942
2000+	￥0.18662

现货：213（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：NTA4151PT1G MOSFETs

品牌：ON

封装：SOT416

描述：

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA

编号：DS0078750

现货：0（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：YJL2312A MOSFETs

品牌：YANGJIE

封装：SOT-23

描述：

N沟道增强型场效应晶体管 20V 6.8A 13.5mΩ@4.5V,6.8A 1.2W 620mV@250uA 75pF@10V N Channel 900pF@10V 9.2nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L

编号：DS0182673

1+	￥0.21796
100+	￥0.20534
300+	￥0.19272
500+	￥0.1801
2000+	￥0.17379
5000+	￥0.17

现货：1780（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：PMDT290UCE,115 MOSFETs

品牌：Nexperia

封装：SOT666

描述：

类型：1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V；

编号：DS0103399

现货：0（当天发货）

「4000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：TPCJ2101 MOSFETs

品牌：TECH PUBLIC

封装：SOT-323

描述：

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj)

编号：DS0142785

1+ ￥0.08498

现货：65（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：AO7407 MOSFETs

品牌：TECH PUBLIC

封装：SOT-323

描述：

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj)

编号：DS0142791

1+	￥0.21767
10+	￥0.20942
100+	￥0.18963
500+	￥0.17974

现货：1321（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：TPDMP2160UW MOSFETs

品牌：TECH PUBLIC

封装：SOT-323

描述：

编号：DS0142789

1+ ￥0.14986

现货：90（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：SI2301S MOSFETs

品牌：MDD

封装：SOT-23

描述：

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

编号：DS0145141

1+ ￥0.07687

现货：8（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：TPNTK3134NT1G MOSFETs

品牌：TECH PUBLIC

封装：SOT-723-3

描述：

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj)

编号：DS0142783

现货：0（当天发货）

「8000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

数据手册

+ 对比

型号：PMF63UNEX MOSFETs

品牌：Nexperia

封装：SOT-323(SC-70)

描述：

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

编号：DS0080757

现货：0（当天发货）

「3000 / 卷装(TR)」

加入购物车立即购买

更多渠道

加载中

热销型号

快速访问

搜索相关产品共 {{ goodsList.length }} 条相关结果

品牌：

确定

取消

+多选

清除条件

封装：

确定

取消

+多选

清除条件

数据手册

型号：
品牌：{{ `${item.brand.brandName}${item.brand.brandCn ? '(' + item.brand.brandCn + ')' : ''}`}}
封装：{{ item.encap }}
描述：
{{ item.goodsDesc }}
编号：{{ item.goodsNo }}

询价

加载中

元器件商品{{ gnNumber + hkNumber }}

MV-SF