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+ 对比

型号：X4622WV-2x20I-C40D28-E60 排针

品牌：XKB

封装：CONN_40X4MM_TM

描述：

排针间距2.0mm 40Pin(2X20)直插双排双塑塑高2.0mm 上针C4.0mm 下针D2.8mm L=12.8MM Au足1u

编号：CO1198683

1+	￥2.86
10+	￥2.64
30+	￥2.596
100+	￥2.464

现货：200（当天发货）

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+ 对比

型号：X4622WV-2x40I-C40D28-E60 排针

品牌：XKB

封装：CONN_80X4MM_TM

描述：

排针间距2mm 直插双排双塑无柱镀金 80pin(2X40P) 工作温度范围：-40℃~+105℃ 焊接温度(最大值)：260℃ 同向 6T料,Au足1u

编号：CO656079191

1+	￥3.146
10+	￥2.904
30+	￥2.8556
100+	￥2.7104

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+ 对比

型号：NCE609 MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO252-4L

描述：

1个N沟道和1个P沟道 Vdss：40V Pd：40W

编号：DS0185962

1+	￥1.2792
30+	￥1.23245
100+	￥1.13895
500+	￥1.04545
1000+	￥0.9987

现货：275（当天发货）

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+ 对比

型号：SE601-HF 电池管理

品牌：SEAWARD

封装：SOT23-6

描述：

QC3.0协议芯片，带FCP,AFC最新协议

编号：PM0186334

5+	￥0.2834
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100+	￥0.2678

现货：2997（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE6080K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W

编号：DS0143266

5+	￥1.2676
50+	￥1.1656
500+	￥1.0296
1000+	￥0.9276
2500+	￥0.88

现货：1165（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE6003M MOSFETs

品牌：NCE

封装：SOT89-3

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W

编号：DS0183242

1+	￥0.47429
10+	￥0.45814
100+	￥0.40969
500+	￥0.4

现货：444（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE60P50 MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-220-3

描述：

MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3

编号：DS0142037

1+	￥3.465
10+	￥3.15
30+	￥2.94
100+	￥2.625
500+	￥2.478
1000+	￥2.373

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+ 对比

型号：NCE6003Y MOSFETs

品牌：NCE

封装：SOT-23

描述：

N-channel Id=3A VDS=60V SOT23-3

编号：DS0143934

10+	￥0.3055
50+	￥0.2827
200+	￥0.2637
600+	￥0.2447
1500+	￥0.2295
3000+	￥0.22

现货：1470（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE6050A MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-220-3

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W

编号：DS0143938

10+	￥1.472
50+	￥1.3616
200+	￥1.2696
600+	￥1.1776
1500+	￥1.104
3000+	￥1.058

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+ 对比

型号：NCE603S MOSFETs

品牌：NCE

封装：SOP8_150MIL

描述：

N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL

编号：DS0145299

1+	￥1.085
10+	￥1.015
50+	￥0.91
150+	￥0.84
300+	￥0.791
500+	￥0.77

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+ 对比

型号：NCE6045G MOSFETs

品牌：NCE

封装：DFN8_5X6MM_EP

描述：

MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP

编号：DS0142033

1+	￥1.6376
10+	￥1.4831
30+	￥1.3801
100+	￥1.2256
500+	￥1.1535
1000+	￥1.102

现货：113（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE6005AS MOSFETs

品牌：NCE

封装：SOP8_150MIL

描述：

个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：2W

编号：DS0143720

5+	￥0.8
100+	￥0.7
500+	￥0.65
1000+	￥0.6
2000+	￥0.57
4000+	￥0.55

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+ 对比

型号：NCE60H10K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W

编号：DS16491446

5+	￥1.87
50+	￥1.72
500+	￥1.52
1000+	￥1.37
2500+	￥1.3

现货：2500（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE6045XG MOSFETs

品牌：NCE

封装：DFN8_6X5MM

描述：

编号：DS39699409

1+	￥1.092
30+	￥1.053
100+	￥1.014
500+	￥0.936
1000+	￥0.897
2000+	￥0.8736

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+ 对比

型号：IDW100E60 快/超快恢复二极管

品牌：Infineon

封装：TO247

描述：

Diode Standard 600V 150A (DC) Through Hole PG-TO247-3

编号：DS0004144

1+ ￥14.29999

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+ 对比

型号：NCE60H15A MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-220-3

描述：

N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L

编号：DS0142035

1+	￥3.04
10+	￥2.74
50+	￥2.5
150+	￥2.34
300+	￥2.24

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+ 对比

型号：NCE6003X MOSFETs

品牌：NCE

封装：SOT23-3

描述：

MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W

编号：ZHLM0349216

5+	￥0.22
100+	￥0.18
500+	￥0.17
1000+	￥0.16
2000+	￥0.15
3000+	￥0.13

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+ 对比

型号：NCE6080A MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-220-3

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W

编号：DS0142034

1+ ￥1.15001

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+ 对比

型号：NCE6075K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W

编号：DS0143323

1+	￥1.4904
10+	￥1.4352
100+	￥1.2696
500+	￥1.23648

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+ 对比

型号：NCE6050KA MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W

编号：DS0143218

1+	￥1
10+	￥0.85
100+	￥0.75
500+	￥0.65
1000+	￥0.6
2500+	￥0.52

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+ 对比

型号：NCE6020AI MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-251-3

描述：

N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W

编号：DS0142032

1+	￥0.624
10+	￥0.5625
50+	￥0.5133
150+	￥0.4805
300+	￥0.46

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+ 对比

型号：NCE60P50K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W

编号：DS0143307

1+	￥2.801
10+	￥2.2008
100+	￥2.0007
500+	￥1.9007
1000+	￥1.7506
2500+	￥1.6

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+ 对比

型号：NCE6020AK MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W

编号：DS0143304

1+	￥0.462
30+	￥0.446
100+	￥0.414
500+	￥0.382
1000+	￥0.366

现货：5242（当天发货）

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型号：NCE60P10K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：45W

编号：DS0145293

5+	￥0.97448
20+	￥0.88593
100+	￥0.79738
500+	￥0.70884
1000+	￥0.66752
2000+	￥0.638

现货：1410（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE60P12K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2

编号：DS0142036

5+	￥0.9686
20+	￥0.8816
100+	￥0.7946
500+	￥0.7076
1000+	￥0.667
2000+	￥0.638

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型号：NCE60P04R MOSFETs

品牌：NCE

封装：SOT-223-3

描述：

MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223

编号：ZHLM0201538

1+ ￥0.5799

现货：0（当天发货）

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型号：NCE60P04Y MOSFETs

品牌：NCE

封装：SOT-23

描述：

MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3

编号：DS0143939

10+	￥0.48
50+	￥0.444
200+	￥0.414
600+	￥0.384
1500+	￥0.36
3000+	￥0.345

现货：4792（当天发货）

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型号：NCE6005AR MOSFETs

品牌：NCE

封装：SOT-223-3L

描述：

N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L

编号：DS0142030

5+	￥0.65445
50+	￥0.5967
500+	￥0.5197
1000+	￥0.46195
2500+	￥0.435

现货：3650（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE60P25K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W

编号：DS0145300

5+	￥1.3426
50+	￥1.2256
500+	￥1.0696
1000+	￥0.9526
2500+	￥0.898

现货：2925（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE6008AS MOSFETs

品牌：NCE

封装：SOIC8_150MIL

描述：

MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL

编号：DS0142031

1+	￥0.93772
10+	￥0.84482
50+	￥0.77051
150+	￥0.72096
300+	￥0.69

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品牌：{{ `${item.brand.brandName}${item.brand.brandCn ? '(' + item.brand.brandCn + ')' : ''}`}}
封装：{{ item.encap }}
描述：
{{ item.goodsDesc }}
编号：{{ item.goodsNo }}

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