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+ 对比

型号：WSE3099 MOSFETs

品牌：WINSOK

封装：SOT89-3

描述：

MOSFET SOT89 P-Channel ID=5A

编号：DS0139884

10+	￥0.7192
100+	￥0.6786
1000+	￥0.6496

现货：850（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE30H12 MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-220-3

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W

编号：DS0185963

1+	￥1.31249
100+	￥1.2075

现货：188（当天发货）

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+ 对比

型号：P6KE300A ESD抑制器/TVS二极管

品牌：SUNMATE

封装：DO15

描述：

TVS二极管 VRWM=256V VBR(Min)=285V VC=414V IPP=1.4A Ppp=600W DO15

编号：PD0001019

1+ ￥0.21773

现货：30（当天发货）

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+ 对比

型号：WSE3088 MOSFETs

品牌：WINSOK

封装：SOT89-3

描述：

MOSFETSOT89 N-Channel ID=7A

编号：DS0139883

1+	￥0.96
10+	￥0.87
30+	￥0.81
100+	￥0.72
500+	￥0.678
1000+	￥0.648

现货：124（当天发货）

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+ 对比

型号：ME301CMG DC/DC开关转换器

品牌：MICRONE

封装：SOT-23

描述：

功能类型：升压型输入电压：900mV~6.5V 输出电压：3V SOT23-3L

编号：IC0444547

5+	￥0.442
20+	￥0.403
100+	￥0.364
500+	￥0.325
1000+	￥0.3068
2000+	￥0.2938

现货：0（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE3065K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W

编号：DS0190383

1+	￥0.66
100+	￥0.616
300+	￥0.572
500+	￥0.528
2000+	￥0.506
5000+	￥0.4928

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+ 对比

型号：P6KE30CA ESD抑制器/TVS二极管

品牌：DOWO

封装：DO15

描述：

TVS VRWM=25.6V VBR(Min)=28.5V VC=41.4V IPP=14.49A Ppp=600W

编号：PD0008651

1+	￥0.3102
100+	￥0.2882
300+	￥0.2662
500+	￥0.2442
2000+	￥0.2332
5000+	￥0.2266

现货：668（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE30H10 MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-220-3

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L

编号：DS0189413

1+	￥1.3775
30+	￥1.33
100+	￥1.235
500+	￥1.14
1000+	￥1.0925

现货：90（当天发货）

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+ 对比

型号：1.5KE30A TVS

品牌：SUNMATE

封装：DO201AD

描述：

TVS VRWM=25.6V VBR(Min)=28.5V VC=41.4V IPP=36.7A Ppp=1500W DO201AD

编号：PD0001077

1+	￥0.33345
10+	￥0.3078
30+	￥0.30267

现货：0（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE3050 MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-220-3

描述：

N沟道增强型功率MOSFET

编号：DS0145297

1+	￥1.1583
10+	￥1.1154
100+	￥0.9867
500+	￥0.96096

现货：90（当天发货）

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+ 对比

型号：P6KE30A ESD抑制器/TVS二极管

品牌：ST

封装：DO-15(DO-204AC)

描述：

TVS VRWM=26V VBR(Min)=28.5V VC=53.5V IPP=75A Ppp=600W DO15

编号：CP0007581

1+	￥1.06404
30+	￥1.02604
100+	￥0.98804
500+	￥0.91204
1000+	￥0.87404
2000+	￥0.85124

现货：0（当天发货）

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+ 对比

型号：1.5KE30CA ESD抑制器/TVS二极管

品牌：SUNMATE

封装：DO201AD

描述：

轴向引线瞬态电压抑制二极管

编号：PD0001112

1+ ￥0.19397

现货：70（当天发货）

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+ 对比

型号：P6KE30A ESD抑制器/TVS二极管

品牌：Brightking

封装：DO15

描述：

DO15 DIP 25.6V 41.4V

编号：PD0004835

1+	￥0.2298
30+	￥0.2218
100+	￥0.2138
500+	￥0.1978
1000+	￥0.1898
2000+	￥0.185

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+ 对比

型号：P6KE30A ESD抑制器/TVS二极管

品牌：SUNMATE

封装：DO15

描述：

编号：PD0000998

1+ ￥0.1242

现货：0（当天发货）

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+ 对比

型号：BAV70-E3-08 开关二极管（小信号）

品牌：Vishay

封装：SOT-23

描述：

SOT23 SMT 70V

编号：DS0025687

20+	￥0.25559
100+	￥0.23235
500+	￥0.21686
1000+	￥0.20137
5000+	￥0.18278
10000+	￥0.17504

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+ 对比

型号：NCE30H10K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

MOSFETs N沟道 30V 100A 5.5mΩ@10V TO-252

编号：DS0143933

5+	￥0.87075
50+	￥0.7995
500+	￥0.7045
1000+	￥0.63325
2500+	￥0.6

现货：1651（当天发货）

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+ 对比

型号：1.5KE30CA ESD抑制器/TVS二极管

品牌：RUILON

封装：DO201

描述：

TVS VRWM=25.6V VBR(Min)=28.5V VC=41.4V IPP=36A Ppp=1500W DO201

编号：PD0003796

5+	￥0.7769
50+	￥0.70754
500+	￥0.63817
1000+	￥0.5688
2500+	￥0.53643
5000+	￥0.50869

现货：759（当天发货）

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+ 对比

型号：P6KE300CA ESD抑制器/TVS二极管

品牌：Brightking

封装：DO15

描述：

TVS DO15 Ppp=600W VC=414V Ipp=1.5A VRWM=256V

编号：PD0004816

10+	￥0.5922
100+	￥0.54495
500+	￥0.4977
1000+	￥0.45045
2000+	￥0.41895
4000+	￥0.4095

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+ 对比

型号：NCE3050K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W

编号：DS0142015

1+	￥0.6836
10+	￥0.6191
30+	￥0.5761
100+	￥0.5116
500+	￥0.4815
1000+	￥0.46

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+ 对比

型号：P6KE30CA ESD抑制器/TVS二极管

品牌：BORN

封装：DO15

描述：

TVS VRWM=25.6V VBR(Min)=28.5V VC=41.4V IPP=14.7A Ppp=600W DO15

编号：PD0003814

1+	￥0.2604
10+	￥0.2394
30+	￥0.2352

现货：645（当天发货）

「2000 / 盒装(PACKAGE)」

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+ 对比

型号：NCE3025Q MOSFETs

品牌：NCE

封装：DFN8_3.3X3.3MM

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W

编号：DS0142014

1+	￥0.871
10+	￥0.804
30+	￥0.7906
100+	￥0.7504

现货：60（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE3090K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

NCE N沟道增强型功率MOSFET

编号：DS0142018

1+	￥0.826
30+	￥0.7965
100+	￥0.767
500+	￥0.708
1000+	￥0.6785
2000+	￥0.6608

现货：0（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE30H15K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：130W

编号：DS0142020

1+	￥2.11066
10+	￥1.90855
30+	￥1.77381
100+	￥1.57169
500+	￥1.47737
1000+	￥1.41

现货：4140（当天发货）

「2500 / 卷装(TR)」

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+ 对比

型号：NCE30P20Q MOSFETs

品牌：NCE

封装：DFN8_3.3X3.3MM_EP

描述：

MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A

编号：DS0142021

1+	￥1.15256
10+	￥1.05086
30+	￥0.98306
100+	￥0.88136
500+	￥0.8339
1000+	￥0.8

现货：1856（当天发货）

「5000 / 卷装(TR)」

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+ 对比

型号：P6KE300CA ESD抑制器/TVS二极管

品牌：SUNMATE

封装：DO15

描述：

TVS二极管 VRWM=256V VBR(Min)=285V VC=414V IPP=1.4A Ppp=600W DO15

编号：PD0001059

1+	￥0.3888
10+	￥0.3744
100+	￥0.33984
500+	￥0.32256

现货：0（当天发货）

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+ 对比

型号：SDDJE30700 船型开关

品牌：ALPS

封装：SW4_21X15MM_TM

描述：

额定电流：10A 额定电压(AC)：250V 电路结构：双刀单掷引脚样式：焊片(直脚)

编号：SW0049624

现货：0（当天发货）

「200 / 托盘(TRAY)」

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+ 对比

型号：NCE3020Q MOSFETs

品牌：NCE

封装：DFN8_3.15X3.1MM

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W

编号：DS0142013

1+ ￥0.412

现货：5100（当天发货）

「5000 / 卷装(TR)」

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+ 对比

型号：NCE3010S MOSFETs

品牌：NCE

封装：SO8_150MIL

描述：

MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL

编号：DS0143283

1+	￥0.62301
30+	￥0.60076
100+	￥0.57851
500+	￥0.53401
1000+	￥0.51176
2000+	￥0.49841

现货：4290（当天发货）

「4000 / 卷装(TR)」

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+ 对比

型号：NCE3080K MOSFETs

品牌：NCE

封装：TO-252-2(DPAK)

描述：

N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W

编号：DS0143216

1+	￥0.4375
30+	￥0.422
100+	￥0.391
500+	￥0.36
1000+	￥0.3445

现货：2525（当天发货）

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+ 对比

型号：NCE3007S MOSFETs

品牌：NCE

封装：SO8_150MIL

描述：

P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W

编号：DS0183235

1+	￥0.43496
30+	￥0.41836
100+	￥0.40176
500+	￥0.36856
1000+	￥0.35196
2000+	￥0.342

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品牌：{{ `${item.brand.brandName}${item.brand.brandCn ? '(' + item.brand.brandCn + ')' : ''}`}}
封装：{{ item.encap }}
描述：
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编号：{{ item.goodsNo }}

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