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MOSFETs ST STB15810
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-263(D²Pak) | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | No | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
漏极电流 | 1µA | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4mΩ | |
阈值电压 | 4.5V@250μA | |
栅极电荷(Qg) | 117nC | |
连续漏极电流 | 110A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 8.115nF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 10.40 x 9.35mm | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | 4.5V | |
反向传输电容Crss | 67pF@50V | |
充电电量 | 117nC | |
额定功率 | 250W | |
功率耗散 | 250W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.4mΩ@10V,55A | |
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商品介绍
N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：250W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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