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MOSFETs ALLPOWER AP2012S
- 品 牌：ALLPOWER(铨力)
- 型 号： AP2012S
- 商品编号： G5908398
- 封装规格： SO8
- 商品描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
- 商品详情
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- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SO8 | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 18V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9mΩ | |
阈值电压 | 1V | |
栅极电荷(Qg) | 17.9nC | |
连续漏极电流 | 12A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 1.8nF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 5.10 x 4.00mm | |
高度 | 1.75mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 20V | |
栅极源极击穿电压 | ±12V | |
反向传输电容Crss | 200pF | |
额定功率 | 2W | |
功率耗散 | 2W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@4.5V,6A | |
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商品介绍
N沟道 漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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