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MOSFETs YANGJIE 2N7002W
- 品 牌：YANGJIE(扬杰科技)
- 型 号： 2N7002W
- 商品编号： G6448368
- 封装规格： SOT-323
- 商品描述： 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-323 | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.3Ω | |
阈值电压 | 2.5V@250μA | |
栅极电荷(Qg) | 1.6nC@10V | |
连续漏极电流 | 340mA | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 27.5pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |
原产国家 | China | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 2.20 x 1.35mm | |
高度 | 1.10mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 60V | |
栅极源极击穿电压 | ±30V | |
反向传输电容Crss | 1.9pF | |
额定功率 | 150mW | |
功率耗散 | 150mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@300mA,10V | |
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商品介绍
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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