三星电子(Samsung Electronics)强推Exynos品牌移动系统芯片。除了在官网介绍搭载于Galaxy Note 4上的各种系统半导体产品群，短期内整合芯片解决方案也将上市，可望扩大移动AP(AP)市占率。

三星电子在进入LTE时代后，因高速数据处理造成的发热现象，在开发整合AP时吃足苦头。同时间高通(Qualcomm)则是借着供应AP结合调制解调器的单芯片，以及电源管理芯片(PMIC)等外围芯片解决方案，在市场上壮大。

据Digital Times报导，日前三星电子透过Exynos官网，介绍移动应用处理器(AP)、调制解调器芯片、NFC芯片、PMIC芯片及显示驱动器 IC(DDIC)等，搭载于Galaxy Note 4的各种系统半导体产品。透过公开移动AP解决方案的详细说明，充分传达出阻止高通独霸地位，同时带动系统半导体部门起死回生的企图心。

首先公开的是搭载于Galaxy Note 4的第一个64位AP Exynos 7 Octa。Exynos 7 Octa是以4个高性能大核心ARM Cortex-A57，搭配4个低功耗小核心ARM Cortex-A53组成的8核心AP，比前代Exynos 5 Octa效能提升57%，并以20纳米制程生产进一步降低耗电量。

再搭配ARM Mali-T760绘图处理器(GPU)，能让图像处理效率提升74%，透过双影像讯号处理器(Image Signal Processor；ISP)，还可同时使用1,600万画素后方镜头与500万画素前置镜头拍摄影片。

搭载于Galaxy Note 4的还有支持LTE-A Cat6通讯功能的调制解调器芯片Exynos Modem 303，采用封包追踪(Envelope Tracking)技术，可实时依据频率分配电力，将耗电量降到最低。此外，因移动支付热潮成为焦点的NFC芯片，与DDIC、PMIC等三星电子自家产系统芯片也都名列其中。

三星将AP与各种移动系统半导体产品，都赋予Exynos的品牌印象。业界人士表示，最近三星拟定策略将透过Exynos品牌抢占市场。而采用14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程结合AP与调制解调器的单芯片解决方案，最快将在2015年透过高阶智能型手机发表。