购物车0
购物车元器件商品{{ gnNumber + hkNumber }}
国内交货{{ gnNumber }}香港交货{{ hkNumber }}
购物车中还没有商品，赶紧选购吧
描述：
该AT45DB321是一个只有2.7伏，串行接口闪存适合于-系TEM重新编程。它的34603008位的存储器被组织为8192页528字节每个。除了在主存储器中， AT45DB321还包含两个每528字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据在主存储器页面进行重新编程。
特点：
1、单2.7V - 3.6V电源
2、串行接口架构
3、页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 8192页（ 528字节/页）主内存
4、可选页和块擦除操作
5、两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许数据的接收，同时重新编程
非易失性存储器
6、内部的计划和控制的定时器
7、快速页编程时间 - 7毫秒典型
8、120 µš典型的页面，以缓冲传输时间
9、低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
– 3µ一种CMOS待机电流典型
10、13 MHz的最大时钟频率
11、硬件数据保护功能
12、串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3
13、CMOS和TTL兼容输入和输出
14、商用和工业温度范围
AT45DB321E-MWHF-T电路图
AT45DB321E-MWHF-T 引脚图
AT45DB321E-MWHF-T 引脚图
AT45DB321E-MWHF-T 引脚图
AT45DB321E-MWHF-T 封装图
AT45DB321E-MWHF-T 封装图
Flash存储器按其接口可分为串行和并行两大类。串行Flash存储器大多采用I2C接口或SPI接口进行读写；与并行Flash存储器相比，所需引脚少、体积小、易于扩展、与单片机或控制器连接简单、工作可靠，所以串行Flash存储器越来越多...
本文给出的是用于大型光伏系统运行状态监测的数据采集存储电路，由于采用表面贴片工艺制作，整个电路板的宽度仅为18毫米，就像使用U盘一样方便。
SN74AVC1T45设计用于两条数据总线之间的异步通信。方向控制（DIR）输入的逻辑电平激活B端口输出或A端口输出。
合作伙伴！ E5062A主要指标： E5062A频率：300K－3G 欧姆 *T/R 或 S 参数综合测试仪 *50 或 75 欧姆测试端口阻抗 *120 dB 的动
本应用笔记是关于如何布局Maxim T3/E3线路接口单元（LIU）网络接口的指南。该指南以DS315x产品为例。本应用笔记也适用于其他Maxim T3/E3产品。
) 放掉的电能ΔE＝E1－E2＝45-5＝40(焦耳) 假设以恒定功率P瓦放电，放电时间t=E/P=40/P(秒 fqj
本应用笔记提供了使用达拉斯半导体/Maxim通信产品T1/E1单芯片收发器（SCT）和T1/E1成帧器的小数T1和E1电路设计示例。
本应用笔记介绍如何使用达拉斯半导体DS21X52和DS21X54单芯片收发器（SCT）和DS216xx时钟适配器（CLAD）将T1转换为E1，反之亦然。DS21X52 SCT用于T1信号
| ADA4692-2 | ADE9078 | ADRF6612 | ADG788 |
| AD9237 | AD5331 | ADA4177-4 | ADIS16223 |
| ADSP-BF547 | ADRF6703 | AD8138 | AD8212 |
| AD7782 | AD9513 | ADF4196 | AD5247 |
| ADG1402 | ADS8364 | AD22103 | AD9554 |
上传BOM
工商网监