AT45DB161E-MHD-T

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16兆位2.7伏，只有串行数据闪存。

中文数据手册

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产品信息

描述：

该AT45DB161是一个只有2.7伏，串行接口闪存适合于-系TEM重新编程。其17301504位存储器组织为4096页528字节每个。除了在主存储器中， AT45DB161还包含两个每528字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据在主存储器页面进行重新编程。

特点：

1、单2.7V - 3.6V电源

2、串行接口架构

3、页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 4096页（ 528字节/页）主内存

4、可选页和块擦除操作

5、两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而非易失性存储器重新编程

6、内部的计划和控制的定时器

7、快速页编程时间 - 7毫秒典型

8、120 µš典型的页面，以缓冲传输时间

9、低功耗

- 4毫安有效的读电流典型

– 3µ一种CMOS待机电流典型

10、13 MHz的最大时钟频率

11、硬件数据保护功能

12、串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3

13、CMOS和TTL兼容输入和输出

14、商用和工业温度范围

电路图、引脚图和封装图

AT45DB161E-MHD-T电路图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 封装图
AT45DB161E-MHD-T 封装图
AT45DB161E-MHD-T 封装图
AT45DB161E-MHD-T 封装图

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