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    AT45DB161E-MHD-T

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    16兆位2.7伏,只有串行数据闪存。

     

    产品信息

    描述:

            该AT45DB161是一个只有2.7伏,串行接口闪存适合于-系TEM重新编程。其17301504位存储器组织为4096页528字节每个。除了在主存储器中, AT45DB161还包含两个每528字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据在主存储器页面进行重新编程。

    特点:

    1、单2.7V - 3.6V电源

    2、串行接口架构

    3、页编程操作

    - 单周期重新编程(擦除和编程)

    - 4096页( 528字节/页)主内存

    4、可选页和块擦除操作

    5、两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

    而非易失性存储器重新编程

    6、内部的计划和控制的定时器

    7、快速页编程时间 - 7毫秒典型

    8、120 µš典型的页面,以缓冲传输时间

    9、低功耗

    - 4毫安有效的读电流典型

    – 3µ一种CMOS待机电流典型

    10、13 MHz的最大时钟频率

    11、硬件数据保护功能

    12、串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3

    13、CMOS和TTL兼容输入和输出

    14、商用和工业温度范围


    电路图、引脚图和封装图

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