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描述：
该AT45DB161是一个只有2.7伏，串行接口闪存适合于-系TEM重新编程。其17301504位存储器组织为4096页528字节每个。除了在主存储器中， AT45DB161还包含两个每528字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据在主存储器页面进行重新编程。
特点：
1、单2.7V - 3.6V电源
2、串行接口架构
3、页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 4096页（ 528字节/页）主内存
4、可选页和块擦除操作
5、两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而非易失性存储器重新编程
6、内部的计划和控制的定时器
7、快速页编程时间 - 7毫秒典型
8、120 µš典型的页面，以缓冲传输时间
9、低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
– 3µ一种CMOS待机电流典型
10、13 MHz的最大时钟频率
11、硬件数据保护功能
12、串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3
13、CMOS和TTL兼容输入和输出
14、商用和工业温度范围
AT45DB161E-MHD-T电路图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 封装图
AT45DB161E-MHD-T 封装图
AT45DB161E-MHD-T 封装图
AT45DB161E-MHD-T 封装图
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| ADUM3152 | AD5732R | ADM6318 | ATSAMHA1G14A |
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