描述:
该AT45DB161D是2.5伏或2.7伏,串行接口顺序访问闪存内存非常适合用于各种数字支持语音,图像 - ,程序代码和对数据存储应用。该AT45DB161D支持急流串行接口应用要求非常高的速度操作。急流串行接口SPI的COM兼容的频率高达66 MHz的。其17301504位存储器被组织成4096页的512字节或每528个字节。除了主存储器,所述AT45DB161D还包含每个五百二十八分之五百十二字节的两个SRAM缓冲器。缓冲区允许数据的接收,而在主存储器中的页面进行重新编程,以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位或字节alterabil-性)是很容易用一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。不同于与多个随机访问的传统闪存。
特点:
1、单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源
2、急流串行接口: 66 MHz最大时钟频率
- 兼容SPI模式0和3
3、用户可配置的页面大小
- 每页512字节
- 每页528字节
- 页面大小可在工厂预先配置为512字节
4、页编程操作
- 智能编程操作
- 4096页( 528分之512字节/页)主内存
5、灵活的擦除选项
- 页擦除( 512字节)
- 块擦除( 4字节)
- 扇区擦除( 128字节)
- 芯片擦除( 16兆位)
6、两个SRAM数据缓冲区(五百二十八分之五百十二字节)
- 允许数据的接收,同时重新编程的闪存阵列
7、通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
8、低功耗
- 7毫安有效的读电流典型
- 25 μA待机电流典型
- 15 μA深层关机典型
9、硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
10、部门锁定的安全代码和数据存储
- 个别部门
11、安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
12、JEDEC标准制造商和设备ID读
13、100000编程/擦除周期每页最低
14、数据保留 - 20岁
15、工业温度范围
16、绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
AT45DB161D-SU电路图
AT45DB161D-SU 引脚图
AT45DB161D-SU 引脚图
AT45DB161D-SU 引脚图
AT45DB161D-SU 引脚图
AT45DB161D-SU 封装图
AT45DB161D-SU 封装图
AT45DB161D-SU 封装图
AT45DB161D-SU 封装图
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小米SU7的续航取决于其电池配置和版本。根据工信部发布的信息,小米SU7提供了两种电池配置:73.6kWh和101kWh。对应这两种电池配置。
ADG526A | ADS7888 | ADA2200 | ADS1271 |
ADXRS810 | ADS7263 | AD7528 | ADS8201 |
ADG1409 | AD5383 | AD8116 | ADL5304 |
AD8131 | AD8250 | ADA4530-1 | AD5175 |
ADG5413BF | AD9520-2 | ADM694 | ADP5050 |