描述:
该AT45DB081D是2.5V或2.7V ,串行接口闪存产品适合于各种各样的数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据存储应用。
该AT45DB081D支持要求非常急流应用的串行接口高速操作。急流串行接口SPI的兼容频率高达66兆赫。其8650752比特的存储器被组织为4096页的256字节或264字节每个。除了在主存储器中, AT45DB081D还包含两个
每个264分之256字节的SRAM缓冲器。该缓冲器允许而数据的接收在主存储器页面进行重新编程,以及写入的连续数据流。 EEPROM仿真(位或字节变性)很容易与自我处理包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存memo-被访问随机与多个地址线和并行接口里斯。
特点:
1、单2.5V或2.7V至3.6V电源
2、急流串行接口: 66 MHz最大时钟频率
- 兼容SPI模式0和3
3、用户可配置的页面大小
- 每页256字节
- 每页264字节
- 页面大小可在工厂预先配置为256字节
4、页编程操作
- 智能编程操作
- 4096页(二百六十四分之二百五十六字节/页)主内存
5、灵活的擦除选项
- 页擦除( 256字节)
- 块擦除( 2字节)
- 扇区擦除( 64字节)
- 芯片擦除( 8兆比特)
6、两个SRAM数据缓冲区( 264分之256字节)
- 允许数据的接收,同时重新编程的闪存阵列
7、通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
8、低功耗
- 7毫安有效的读电流典型
- 25 μA待机电流典型
- 15 μA深层关机典型
9、硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
10、部门锁定的安全代码和数据存储
- 个别部门
11、安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
12、JEDEC标准制造商和设备ID读
13、100000编程/擦除周期每页最低
14、数据保留 - 20岁
15、工业温度范围
16、绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
AT45DB081D-SSU电路图
AT45DB081D-SSU 引脚图
AT45DB081D-SSU 引脚图
AT45DB081D-SSU 封装图
AT45DB081D-SSU 封装图
AT45DB081D-SSU 封装图
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何谓dB,dB怎么理解?dB是什么单位?愈低愈好吗?对于声频(声学及电子声学)方面的单位,它是以分贝(decibel,dB)来做结果的。斯多里一生专注于科学,1876发明电话,我们都知道贝尔发明
MR0D08BMA45R是一款双电源1Mbit的磁阻随机存取存储器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O电压。提供SRAM兼容的45ns读/写时序,具有无限的耐用性。数据在超过20年
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AT45DB Flash存储模块 DataFLash SPI接口 DataFlash外扩存储 提供测试程序(AVR、STM32、STM8、C8051F) 型号 AT45DBXX DataFlash Board
RS232接口是1970年由美国电子工业协会(EIA)联合贝尔系统、调制解调器厂家及计算机终端生产厂家共同制定的用于串行通讯的标准。
Flash存储器按其接口可分为串行和并行两大类。串行Flash存储器大多采用I2C接口或SPI接口进行读写;与并行Flash存储器相比,所需引脚少、体积小、易于扩展、与单片机或控制器连接简单、工作可靠,所以串行Flash存储器越来越多...
本文给出的是用于大型光伏系统运行状态监测的数据采集存储电路,由于采用表面贴片工艺制作,整个电路板的宽度仅为18毫米,就像使用U盘一样方便。
ADM6384 | ADS1202IPWT | AD9243 | ADF7024 |
AD9238 | ADS1287 | ADSP-BF700 | AD626 |
ADuCM3029 | ADM202 | ADS1240 | AD8692 |
ADUCRF101 | ADM8318 | AT91RM9200-QU | AMIS-30532 |
AD557 | ADP5024 | AD7416 | ADA4571 |