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描述：
该AT45DB041是一个只有2.7伏，串行接口闪存适合于-系TEM重新编程。其4325376比特的存储器被组织为2048页264字节每个。除了在主存储器中， AT45DB041还包含两个每264字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据在主存储器页面进行重新编程。不同于传统的闪存memo-被访问随机与多个地址线和并行接口里斯，该数据闪存采用串行接口以顺序存取其数据。简单的串行接口方便了硬件的布局，提高了系统的可靠性。
特点：
1、单2.7V - 3.6V电源
2、串行接口架构
3、页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 2048页（ 264字节/页）主内存
4、两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
5、而非易失性存储器的重新编程
6、内部的计划和控制的定时器
7、快速页编程时间 - 7毫秒典型
8、120µ š典型的页面，以缓冲传输时间
9、低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
– 8µ一种CMOS待机电流典型
10、5 MHz的最大时钟频率
11、硬件数据保护功能
12、串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3
13、CMOS和TTL兼容输入和输出
14、商用和工业温度范围
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