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    AT45DB041E-SHN-T

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    4兆位2.7伏,只有串行数据闪存。

     

    产品信息

      描述:

      该AT45DB041是一个只有2.7伏,串行接口闪存适合于-系TEM重新编程。其4325376比特的存储器被组织为2048页264字节每个。除了在主存储器中, AT45DB041还包含两个每264字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据在主存储器页面进行重新编程。不同于传统的闪存memo-被访问随机与多个地址线和并行接口里斯,该数据闪存采用串行接口以顺序存取其数据。简单的串行接口方便了硬件的布局,提高了系统的可靠性。

      特点:

      1、单2.7V - 3.6V电源

      2、串行接口架构

      3、页编程操作

      - 单周期重新编程(擦除和编程)

      - 2048页( 264字节/页)主内存

      4、两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

      5、而非易失性存储器的重新编程

      6、内部的计划和控制的定时器

      7、快速页编程时间 - 7毫秒典型

      8、120µ š典型的页面,以缓冲传输时间

      9、低功耗

      - 4毫安有效的读电流典型

      – 8µ一种CMOS待机电流典型

      10、5 MHz的最大时钟频率

      11、硬件数据保护功能

      12、串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3

      13、CMOS和TTL兼容输入和输出

      14、商用和工业温度范围


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