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    AT28C256

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    256K ( 32K ×8 )分页并行EEPROM。

     

    产品信息

      描述:

      该AT28C256是一个高性能的电可擦可编程只读只有记忆。它的内存256K是由8位, 32,768字。制造

      捕获的原始图像与Atmel先进的非易失性CMOS技术,该器件提供接入倍至150 ns的只有440毫瓦的功耗。当设备被取消,在CMOS待机电流小于200微安。

      该AT28C256是一样的读或写周期中的静态RAM ,而不访问需要的外部元件。

      该器件包含一个64字节页寄存器允许同时写入的最多64个字节。在写周期中,地址和1〜64个字节的数据被内部地锁存,从而释放地址和数据总线,用于其他操作。下面的写周期开始时,设备会自动写入使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时已经检测到一个用于读出或写入新的访问可以开始。

      Atmel公司的AT28C256具有附加功能,以确保高品质和manufacturabil-性。该器件采用延长续航能力以及完善的内部纠错数据保持特性。一个可选的软件数据保护机制可防范意外写操作。该装置还包括一个额外的64字节的EEPROM器件识别和跟踪。

      特点:

      (1)快速读取访问时间 - 150纳秒

      (2)自动页写操作

      - 内部地址和数据锁存为64字节

      - 内部控制定时器

      (3)快速写周期时间 

      - 页写周期时间: 3毫秒或10毫秒最大

      - 1到64字节页写操作

      低功耗

      - 50毫安工作电流

      - 200 μA CMOS待机电流

      (4)硬件和软件数据保护

      (5)数据轮询写入检测结束

      (6)高可靠性的CMOS技术

      - 数据保存:10年

      (7)单5V ±10 %供应

      (8)CMOS和TTL兼容输入和输出

      (9)JEDEC批准字节宽引脚

      (10)充分的军事和工业温度范围

      (11)绿色(无铅/无卤化物)的包装选项

     


    电路图、引脚图和封装图

    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    FM30C256 pdf datasheet (256KbRAR555 点击下载
    AS7C256 pdf(5V/3.3V 32K X 8 CMOS SRAM)RAR130 点击下载

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