制造商:TI
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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UC1846VTD2 | TI | IC REG CTRLR MULT TOPOLOGY DIE | 立即购买 |
UC1846VTD1 | TI | IC REG CTRLR MULT TOPOLOGY DIE | 立即购买 |
作为半导体制造的后工序,封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。
三星B-Die DDR4内存颗粒堪称一段行业传奇,无论厂商还是高端玩家、发烧友都非常喜欢它,其出色的性能和超频性备受青睐,几乎成了高端内存条的标配。
新思科技IP营销和战略高级副总裁John Koeter表示:裸片拆分和分解的趋势下,需要超短和特短距离链接,以实现裸晶芯片之间的高数据速率连接。
随着电子产品日趋便利化,对产品要求也趋小型、薄型化。即对现有的封装器件要求更小,更薄,而产品本身的内容却又不断在增加。如何在这种矛盾的条件下实现全部要求?这对整个封装行业提出了新的发展。
SSI芯片必须了解的基本问题
AMD不久前刚刚发布了代号Rome(罗马)第二代EPYC霄龙处理器,拥有7nm工艺和Zen 2架构,而且采用了chiplet小芯片设计,集成最多八个CPU Die和一个IO Die设计非常独特。
Multi-Die系统的基础构建,亦是如此,全部都需要细致入微的架构规划。 对于复杂的Multi-Die系统而言,从最初就将架构设计得尽可能正确尤为关键。 Multi-Die系统的出现,是为了应对设计规模增加和系统复杂性给摩尔定律有效性带来的挑战。Mult
如今,从数据中心到边缘层,再到万物智能网络的深处,先进的Multi-Die系统实现了前所未有的性能水平。Multi-Die系统不是通用的单体架构芯片,而是由一系列异构芯片(也称“小芯片”)组成,其中
UVIS25 | UPZ2012E121-4R0TF | ULN2003 | UCD3138128 |
uc3842 | UC2842B | USB2230 | ULN2003AM/TR |
USB1T1105A | UCC3810-DIE | UC1843A-DIE | USB2229 |
USB1T20 | UC1846-DIE | UC3842B | UC1834-DIE |
UCD9222 | USB2660 | UCC27201A-DIE | USB2642 |