TP5322

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MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -220V, 12 Ohm

中文数据手册

产品信息

TP5322 is a low threshold enhancement-mode (normally-off) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

High input impedance

Low threshold (-2.4V max.)

Low input capacitance (110pF max.)

Fast switching speeds

Low on-resistance

Low input and output leakage

Free from secondary breakdown

电路图、引脚图和封装图

TP5322 封装图
TP5322 封装图

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型号	制造商	描述	购买
TP5322N8-G	Microchip	MOSFETP-CH220V0.26ASOT89-3	立即购买
TP5322K1-G	Microchip	MOSFETP-CH220V0.12ASOT23-3	立即购买

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