TN5325

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MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 250V, 7.0 Ohm

中文数据手册

产品信息

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold (2.0V max.)

High input impedance and high gain

Free from secondary breakdown

Low CISS and fast switching speeds

电路图、引脚图和封装图

TN5325 封装图
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型号	制造商	描述	购买
TN5325N3-G-P002	Vishay	贴片电阻 0505 47Ω ±2% 1.4W ±150ppm/℃	立即购买
TN5325N3-G	SUNTSU	无源晶振 18pF 30MHz 30Ω ±25ppm HC-49S/SMD -10℃~+70℃	立即购买
TN5325N8-G	Marktech Optoelectronics	LED RING BLUE 450NM	立即购买
TN5325K1-G	Dialight	PWRWHT LV NW WIDE OPTIC	立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
EL5325/EL5325A pdf datasheet (	RAR	433	点击下载
GC5325,pdf(GC5325 Wideband Dig	RAR	462	点击下载
GC5325 wideband digital pre-di	RAR	3000	点击下载
GC5325 System Evaluation Kit U	RAR	2661	点击下载
EL5325 pdf datasheet (12-Chann	RAR	433	点击下载
GC5325 System Evaluation Kit	RAR	1874	点击下载
GC5325 Envelope Tracking	RAR	1537	点击下载
MSP430F5325,pdf(Mixed Signal M	RAR	673	点击下载

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