This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold (2.0V max.)
High input impedance
Low input capacitance (125pF max.)
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
TN2524 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
TN2524N8-G | Abracon | 有源晶振 ±20ppm 2.5V 125MHz SMD-8 | 立即购买 |
LQP03TN是当时商品化的0201尺寸,是以具有业界超高水平Q特性为特征的销售业绩极好的产品。LQP03TG是替换同行业其他公司的多层产品的、以合理的价格实现与同行业多层产品具有同等水平Q特性的产品。
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TN-S接零保护系统是一种电气系统的配电方式,是指工业、建筑等领域内电气安装中,使用单独的保护零线连接所有的电气设备,并将这些保护零线与地线分开连接到配电主干上。这种配电方式常常被用于电压高于50V但不超过1000V交流电压等级的配电系统中。
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TC1413 | TC1047A | TC7660 | TC682 |
THS1206 | TLV2553-Q1 | TC4428A | TMP468 |
TLV2553 | TPS62134A | THS4532 | TN2425 |
tda2030a | TPS544B25 | TPS53622 | TC670 |
TC4423 | TPS54116-Q1 | TC7920 | TC1410N |