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The STMicroelectronics STW82101B is an integrated down converter providing 8.5 dB of gain, 9.5 dB NF, and a very high input linearity by means of its passive mixer.
Embedding two wide band auto calibrating VCOs and an integer-N synthesizer, the STW82101B is suitable for both Rx and Tx requirements for Cellular infrastructure equipment.
The integrated RF balun and internal matching permit direct 50 ohm single-ended interface to RF port. The IF output is suitable for driving 200-ohm impedance filters.
By embedding a DAC with dual current output to drive an external PIN diode attenuator, the STW82101B replaces several costly discrete components and offers a significant footprint reduction.
The STW82101B device is designed with STMicroelectronics advanced 0.35 μm SiGe process. Its performance is specified over a -40 °C to +85 °C temperature range.
意法半导体的stw82101b是一个集成的下变频器提供8.5 dB的增益,9.5分贝NF和由其无源混频器的输入线性度很高。
嵌入两宽带自动校准振荡器和一个整数N合成器的stw82101b适用于RX和TX要求蜂窝基础设施设备。
集成RF巴伦和内部匹配允许直接50欧姆单端接口的射频端口。如果输出是适用于驱动200欧姆阻抗滤波器。
通过嵌入一个DAC双电流输出驱动外部PIN二极管衰减器,其stw82101b取代一些昂贵的分立元件,提供了一个重大的减排。
的stw82101b装置设计与意法半导体先进的0.35μm SiGe工艺。其性能在40°C至85°C的温度范围内。
High linearity:
IIP3: +24.5 dBm
2FRF-2FLO spurious rejection: 75 dBc
Noise figure:
NF: 9.5 dB
Conversion gain
CG: 8.5 dB
RF range: 695 MHz to 960 MHz
Wide IF amplifier frequency range: 70 MHz to 400 MHz
Integrated RF balun with internal matching
Dual differential integrated VCOs with automatic center frequency calibration:
LOA: 850 to 1025 MHz
LOB: 1025 to 1185 MHz
Embedded integer-N synthesizer
Dual modulus programmable prescaler (16/17 or 19/20)
Programmable reference frequency divider (10 bits)
Adjustable charge pump current
Digital lock detector
Excellent integrated phase noise
Fast lock time: 150 μs
Integrated DAC with dual current output
Supply: 3.3 V and 5 V analog, 3.3 V digital
Dual digital bus interface: SPI and I2C bus (fast mode) with 3 bit programmable address (1101A2A1A0)
Process: 0.35 μm BICMOS SiGe
Operating temperature range -40 to +85oC
44-lead exposed pad VFQFPN package 7x7x1.0 mm
Applications
Cellular infrastructure equipment:
Other wireless communication systems.
主要特点
高线性度:
:24.5 dBm的IIP3
2frf-2flo杂散抑制:75 dBc
噪声系数:
核因子:9.5分贝
转换增益
答:8.5分贝
射频范围:695兆赫至960兆赫
宽中频放大器的频率范围:70兆赫至400兆赫
内部匹配的集成RF巴伦
自动校准双差的集成VCO的中心频率:
罗亚:850至1025兆赫
高球:1025至1185兆赫
嵌入式数字频率合成器
双模量可编程分频器(16 / 17或19 / 20)
可编程参考分频器(10位)
可调电荷泵电流
数字锁相检测器
良好的综合相位噪声
快速锁定时间:150
双电流输出DAC集成
供应:3.3伏和5伏模拟,3.3伏数字
双数字总线接口:SPI和I2C总线(快速模式)与3位可编程的地址(1101a2a1a0)
方法:0.35μm BiCMOS SiG
工作温度范围40到85oC
44铅接触垫vfqfpn包7x7x1.0毫米
应用
蜂窝基础设施设备:中频采样receiversdigital功放线性化环路
其他无线通信系统。
STW82101B电路图
STW82101B 引脚图
STW82101B 封装图
STW82101B 封装图
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