The STMicroelectronics STW82101B is an integrated down converter providing 8.5 dB of gain, 9.5 dB NF, and a very high input linearity by means of its passive mixer.

Embedding two wide band auto calibrating VCOs and an integer-N synthesizer, the STW82101B is suitable for both Rx and Tx requirements for Cellular infrastructure equipment.

The integrated RF balun and internal matching permit direct 50 ohm single-ended interface to RF port. The IF output is suitable for driving 200-ohm impedance filters.

By embedding a DAC with dual current output to drive an external PIN diode attenuator, the STW82101B replaces several costly discrete components and offers a significant footprint reduction.

The STW82101B device is designed with STMicroelectronics advanced 0.35 μm SiGe process. Its performance is specified over a -40 °C to +85 °C temperature range.

意法半导体的stw82101b是一个集成的下变频器提供8.5 dB的增益，9.5分贝NF和由其无源混频器的输入线性度很高。

嵌入两宽带自动校准振荡器和一个整数N合成器的stw82101b适用于RX和TX要求蜂窝基础设施设备。

集成RF巴伦和内部匹配允许直接50欧姆单端接口的射频端口。如果输出是适用于驱动200欧姆阻抗滤波器。

通过嵌入一个DAC双电流输出驱动外部PIN二极管衰减器，其stw82101b取代一些昂贵的分立元件，提供了一个重大的减排。

的stw82101b装置设计与意法半导体先进的0.35μm SiGe工艺。其性能在40°C至85°C的温度范围内。

Key Features

• High linearity:

• IIP3: +24.5 dBm

• 2FRF-2FLO spurious rejection: 75 dBc

• Noise figure:

• NF: 9.5 dB

• Conversion gain

• CG: 8.5 dB

• RF range: 695 MHz to 960 MHz

• Wide IF amplifier frequency range: 70 MHz to 400 MHz

• Integrated RF balun with internal matching

• Dual differential integrated VCOs with automatic center frequency calibration:

• LOA: 850 to 1025 MHz

• LOB: 1025 to 1185 MHz

• Embedded integer-N synthesizer

• Dual modulus programmable prescaler (16/17 or 19/20)

• Programmable reference frequency divider (10 bits)

• Adjustable charge pump current

• Digital lock detector

• Excellent integrated phase noise

• Fast lock time: 150 μs

• Integrated DAC with dual current output

• Supply: 3.3 V and 5 V analog, 3.3 V digital

• Dual digital bus interface: SPI and I²C bus (fast mode) with 3 bit programmable address (1101A₂A₁A₀)

• Process: 0.35 μm BICMOS SiGe

• Operating temperature range -40 to +85^oC

• 44-lead exposed pad VFQFPN package 7x7x1.0 mm

• Applications

• Cellular infrastructure equipment:

  IF sampling receiversDigital PA linearization loops

• Other wireless communication systems.

主要特点

高线性度：

：24.5 dBm的IIP3

2frf-2flo杂散抑制：75 dBc

噪声系数：

核因子：9.5分贝

转换增益

答：8.5分贝

射频范围：695兆赫至960兆赫

宽中频放大器的频率范围：70兆赫至400兆赫

内部匹配的集成RF巴伦

自动校准双差的集成VCO的中心频率：

罗亚：850至1025兆赫

高球：1025至1185兆赫

嵌入式数字频率合成器

双模量可编程分频器（16 / 17或19 / 20）

可编程参考分频器（10位）

可调电荷泵电流

数字锁相检测器

良好的综合相位噪声

快速锁定时间：150

双电流输出DAC集成

供应：3.3伏和5伏模拟，3.3伏数字

双数字总线接口：SPI和I2C总线（快速模式）与3位可编程的地址（1101a2a1a0）

方法：0.35μm BiCMOS SiG

工作温度范围40到85oC

44铅接触垫vfqfpn包7x7x1.0毫米

应用

蜂窝基础设施设备：中频采样receiversdigital功放线性化环路

其他无线通信系统。