NTMFS6H818N

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Power MOSFET 80V, 123A, 3.7 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL.

制造商：ON

中文数据手册

产品信息

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (5x6 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
Pb−Free

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NTMFS6H818NT1G	-	-	立即购买

技术资料

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DFN5 5X6, 1.27P (SO 8FL)	PDF	29	点击下载
Power MOSFET	PDF	82	点击下载

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元器件商品{{ gnNumber + hkNumber }}