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The MCP87000 family of high-speed MOSFETs have been designed to optimize the trade-off between ultra-low On-state resistance (Rds-on) and Gate Charge (Qg) to maximize power conversion efficiency in switched mode power supplies.
Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON))
Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-DrainCharge (QGD)
Low Series Gate Resistance (RG)
Fast Switching
Capable of Short Dead-Time Operation
ROHS Compliant
MCP87130 封装图
MCP87130 封装图
MCP87130 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCP87130T-U/LC | Mill-Max | HEADER OPEN .030"DIA .300 28POS | 立即购买 |
| MCP87130T-U/MF | Vishay | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | 立即购买 |
镍铬电极 三十多年来，PHOTONIS(前身为飞利浦光子学、伽利略和 Burle)在电子倍增器及相关产品方面始终保持着标准。今天，广泛的研发计划以及微通道板(MCP)技术无与伦比的专业知识继续提供
...构如图1所示，每个节点都以AT89C51单片机为节点控制器，MCP2510为总线控制器，MCP2551为总线收发器，其中，与控制台工作站相连接的节点被称为集中机，其余为区域机。在集中机中，所谓控制台工作站，就是一台PC机，单片机通过...
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
产品特点 传输时间扩展 40ps； 抗磁性3T； 光电阴极Hi-QE； 门控可选； 8mm、16mm或18mm使用直径。 技术信息 Photonis的MCP-PMT具有高线性度特性，在光电burst
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
| MCP1700 | MIC810 | MC100LVELT22 | MOC3020M |
| MCP19115 | MIC842 | MMBFJ176 | MP34DB02 |
| MCP9501 | MC14511B | MC74VHC1G125 | MC100EPT26 |
| MIC3223 | MIC2199 | MC74HC4060A | MCP2030 |
| MMBF5459 | MC33202 | MCP3903 | MIC4423 |
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