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The MCP87000 family of high-speed MOSFETs have been designed to optimize the trade-off between ultra-low On-state resistance (Rds-on) and Gate Charge (Qg) to maximize power conversion efficiency in switched mode power supplies.
Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON))
Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-DrainCharge (QGD)
Low Series Gate Resistance (RG)
Fast Switching
Capable of Short Dead-Time Operation
ROHS Compliant
MCP87050 封装图
MCP87050 封装图
MCP87050 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCP87050T-U/MF | Vishay | DIODE GEN PURP 600V 6A P600 | 立即购买 |
当前给定的MCP的概念为：MCP是在一个塑料封装外壳内，垂直堆叠大小不同的各类存储器或非存储器芯片，是一种一级单封装的混合技术，用此方法节约小巧印刷电路板PCB空间。
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
...构如图1所示，每个节点都以AT89C51单片机为节点控制器，MCP2510为总线控制器，MCP2551为总线收发器，其中，与控制台工作站相连接的节点被称为集中机，其余为区域机。在集中机中，所谓控制台工作站，就是一台PC机，单片机通过...
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
硅表征数据用于确定非线性传感器的特性。从该数据中得出一个描述传感器典型性能的方程式。确定方程的相应系数后，这些系数将用于计算典型传感器非线性的补偿。
产品特点 传输时间扩展 40ps； 抗磁性3T； 光电阴极Hi-QE； 门控可选； 8mm、16mm或18mm使用直径。 技术信息 Photonis的MCP-PMT具有高线性度特性，在光电burst
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
| MOC3061M | MCP2200 | MIC59P60 | MIC5400 |
| MC10E158 | MCP79402 | MC100E452 | MC100ELT22 |
| MCP1319M | MC100EL35 | MCP23018 | MOC3022M |
| MJ11028 | MSC1210Y3 | MSP430FW429 | MCP6051 |
| MCP37D21-200 | MCP3903 | MMBTA64 | MC74ACT273 |
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