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    HMC8191

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    6 GHz至26 GHz宽带I/Q混频器

    制造商:ADI/AD

    中文数据手册

    产品信息

    优势和特点

      无源宽带I/Q混频器

      RF和LO范围:6 GHz至26.5 GHz

      宽IF带宽:DC至5 GHz

      单端RF、LO和IF

      转换损耗:9 dB(典型值)

      镜像抑制:25 dBc(典型值)

      噪声系数:14 dB(典型值)

      输入IP3(下变频器):24 dBm(典型值)

      输入P1dB压缩点(下变频器):15 dBm(典型值)

      输入IP2:55 dBm(典型值)

      LO至RF隔离:40 dB(典型值)

      LO至IF隔离:40 dB(典型值)

      RF至IF隔离:20 dB(典型值)

      幅度平衡:±0.5 dB(典型值)

      相位平衡(下变频器):±5°(典型值)

      RF回波损耗:15 dB(典型值)

      LO回波损耗:15 dB(典型值)

      IF回波损耗:15 dB(典型值)

      裸露焊盘、4 mm × 4 mm、24引脚陶瓷LCC 封装

    产品详情

    HMC8191是一款无源宽带I/Q MMIC混频器,可用作用于接收机工作的镜像抑制混频器或用于发射器工作的单边带上变频器。 HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的RF和LO范围以及DC至5 GHz的IF带宽,非常适合要求宽频率范围、出色的RF性能和简单设计的应用,所需器件较少,PCB面积较小。 单个HMC8191可取代设计中的多个窄带混频器。

    HMC8191集成了I/Q架构,可以提供出色的镜像抑制性能,从而无需昂贵的无用边带滤波。 该混频器还提供出色的LO-RF和LO-IF隔离性能,可降低LO泄漏的影响,确保信号完整性。

    作为一款无源混频器,HMC8191无需任何直流电源。 相比有源混频器,它提供较低的噪声系数,确保用于高性能和精密应用的出色动态范围。

    HMC8191采用GaAs MESFET工艺制造,并使用ADI混频器单元和一个90°混合器件。 它采用4 mm × 4 mm、24引脚紧凑型LFCSP封装,工作温度范围为−40°C至+85°C。 该器件还提供评估板。

    应用

      测试与测量仪器仪表

      军事、航空航天和防务应用

      微波点对点基站

    电路图、引脚图和封装图

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