制造商:ADI/AD
优势和特点
无源宽带I/Q混频器
RF和LO范围:6 GHz至26.5 GHz
宽IF带宽:DC至5 GHz
单端RF、LO和IF
转换损耗:9 dB(典型值)
镜像抑制:25 dBc(典型值)
噪声系数:14 dB(典型值)
输入IP3(下变频器):24 dBm(典型值)
输入P1dB压缩点(下变频器):15 dBm(典型值)
输入IP2:55 dBm(典型值)
LO至RF隔离:40 dB(典型值)
LO至IF隔离:40 dB(典型值)
RF至IF隔离:20 dB(典型值)
幅度平衡:±0.5 dB(典型值)
相位平衡(下变频器):±5°(典型值)
RF回波损耗:15 dB(典型值)
LO回波损耗:15 dB(典型值)
IF回波损耗:15 dB(典型值)
裸露焊盘、4 mm × 4 mm、24引脚陶瓷LCC 封装
产品详情
HMC8191是一款无源宽带I/Q MMIC混频器,可用作用于接收机工作的镜像抑制混频器或用于发射器工作的单边带上变频器。 HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的RF和LO范围以及DC至5 GHz的IF带宽,非常适合要求宽频率范围、出色的RF性能和简单设计的应用,所需器件较少,PCB面积较小。 单个HMC8191可取代设计中的多个窄带混频器。
HMC8191集成了I/Q架构,可以提供出色的镜像抑制性能,从而无需昂贵的无用边带滤波。 该混频器还提供出色的LO-RF和LO-IF隔离性能,可降低LO泄漏的影响,确保信号完整性。
作为一款无源混频器,HMC8191无需任何直流电源。 相比有源混频器,它提供较低的噪声系数,确保用于高性能和精密应用的出色动态范围。
HMC8191采用GaAs MESFET工艺制造,并使用ADI混频器单元和一个90°混合器件。 它采用4 mm × 4 mm、24引脚紧凑型LFCSP封装,工作温度范围为−40°C至+85°C。 该器件还提供评估板。
应用
测试与测量仪器仪表
军事、航空航天和防务应用
微波点对点基站
HMC8191 封装图
HMC8191 引脚图
HMC8191电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
HMC8191LC4TR-R5 | - | - | 立即购买 |
HMC8191LC4TR | - | - | 立即购买 |
HMC8191LC4 | - | - | 立即购买 |
电子发烧友网为大家提供了HMC1512带温度补偿的位置检测电路,本站还有其他相关资料,欢迎您的阅读!
本内容提供了磁阻传感器HMC102在车辆检测中的应用,利用AMR (Anisotropic Magneto Resistant)各向异性磁传感器进行的地磁车辆检测
Analog Devices, Inc. 亚德诺(ADI),最近推出高度集成的Rx/Tx 转换器HMC8100 和HMC8200。对于微波和毫米波移动运营商及电信设备制造商而言,这些器件可以大幅提高可靠性、降低成本并缩短产品上市时间。
HMC5883L作为一个IIC兼容装置,该装置包含一个7-bit串行地址,并支持IIC协议。HMC5883L可以支持标准和快速模式,分别为100kHz和400kHz,但不支持高速模式(Hs)。要求主机的活动优先于内部活动。
HMC415LP3和HMC415LP3E是工作在4.9和5.9 GHz之间的高效GaAs InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMIC功率放大器。
HMC-ALH445是一款GaAs MMIC HEMT自偏置宽带低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供9 dB增益、3.9 dB噪声系数(28 GHz)和+12 dBm
HMC141LH5 是一款微型无源双平衡混频器,采用密封 SMT 无引线封装 可用作上变频器的封装或 下变频器。
HMC-APH518是一款两级GaAs HEMT MMIC 1 W功率放大器,工作频率范围为21至24 GHz。 HMC-APH518提供17 dB增益,采用+5V电源电压时具有+30.5 dBm输出功率(1 dB压缩)
HMC575 | HMC189A | HMC994APM5E | HMC373 |
HMC814-Die | HMC-ALH311 | HMC572-Die | HMC960 |
HMC662 | HMC773A | HV850 | HMC8402-DIE |
HMC-C047 | HMC557A | HMC-AUH232 | HMC745 |
HMC-C046 | HMC728 | HMC1082 | HMC939A-Die |