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制造商：ADI/AD
优势和特点
高输出功率： +17 dBm
低输入功耗驱动： 0至+6 dBm
Fo隔离： >20 dBc（Fout = 19 GHz时）
100 kHz SSB相位噪声： -136 dBc/Hz
单电源： +5V (88mA)
裸片尺寸： 1.2 x 1.23 x 0.1 mm
产品详情
HMC814是一款采用GaAs pHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在19 GHz频率下，Fo、3Fo和4Fo隔离大于20 dBc。 HMC814非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-136 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mil)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
应用
时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64
点对点和VSAT无线电
测试仪器仪表
军用最终用途
传感器
HMC814-DIE电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC814-SX | - | - | 立即购买 |
| HMC814 | - | - | 立即购买 |
公共车辆是最为普遍的一种城市交通工具，能大力缓解城市交通拥堵，同时对改善城市人居环境、促进城市可持续发展也起着至关重要的作用。
可能你偶尔会听见硬件工程师，或者芯片设计工程师讲述一些专业名词，比如今天说的wafer、die、cell等。
2D芯片设计中通常为二阶或三阶的效应，在Multi-Die系统中升级为主要效应。
在当今时代，摩尔定律带来的收益正在不断放缓，而Multi-Die系统提供了一种途径，通过在单个封装中集成多个异构裸片（小芯片），能够为计算密集型应用降低功耗并提高性能。
简介 半导体行业面临的一个主要挑战是无法在量产阶段早期发现产品缺陷。如果将有缺陷的产品投放市场，将会给企业带来巨大的经济和声誉损失。对超大规模数据中心、网络和 AI 应用的高性能计算片上系统 (SoC) 的设计开发者...
随着电子产品日趋便利化，对产品要求也趋小型、薄型化。即对现有的封装器件要求更小，更薄，而产品本身的内容却又不断在增加。如何在这种矛盾的条件下实现全部要求？这对整个封装行业提出了新的发展。
但是，Multi-Die系统开发本身也有挑战，验证方面尤其困难重重。验证过程必须非常详尽，才能发现严重错误并实现高性能设计。因此，2.5D或3D芯片技术对验证过程的影响可能超乎人们的想象。
HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE为低成本SPDT开关，采用8引脚基极接地MSOP封装。
| HV5122 | HMC-C010 | HMC713LP3E | HMC1105 |
| HMC688 | HMC444 | HMC1068 | HMC306A |
| HMC434 | HMC996 | HMC736 | HMC362-Die |
| HMC356 | HMC701 | HMC-VVD106 | HMC874 |
| HMC-AUH249 | HMC723LC3C | HMC374SC70E | HMC386 |
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