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    HMC787A

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    GaAs MMIC基波混频器,3 - 11 GHz

    制造商:ADI/AD

    中文数据手册

    产品信息

    优势和特点

      转换损耗:典型值9 dB(3 GHz至9 GHz时)

      本振(LO)至射频(IF)隔离:典型值43 dB(3 GHz至9 GHz时)

      RF至中频(IF)隔离:典型值26 dB(3 GHz至9 GHz时)

      输入三阶交调截点(IP3):典型值24 dBm(3 GHz至9 GHz时)

      输入1 dB压缩点(P1dB):典型值17 dBm(3 GHz至9 GHz时)

      输出二阶交调截点(IP2):典型值67 dBm(3 GHz至9 GHz时)

      无源双平衡拓扑结构

      宽IF频率范围:DC至4 GHz

      12引脚、陶瓷、无铅芯片载体(LCC)封装

    产品详情

    HMC787A是一款通用型双平衡混频器,采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装,可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能,采用17 dBm的LO驱动电平工作。陶瓷LCC封装无需线焊,与高容量表贴制造技术兼容。

    应用

      微波无线电

      工业、科研和医疗(ISM)频段和超宽频段(UWB)无线电

      测试设备和传感器

      军用最终用途

    电路图、引脚图和封装图

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