FQPF3N25

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N 沟道 QFET

制造商：ON

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这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适用于高效开关 DC/DC 转换器和开关电源应用。

型号	制造商	描述	购买
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TO-220 Fullpack, 3-Lead / TO-220F-3FG	PDF	53	点击下载
FQPF3N25-D.pdf	PDF	895	点击下载
Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETs	PDF	501	点击下载
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETs	PDF	319	点击下载
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation	PDF	1588	点击下载
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant Converter	PDF	1707	点击下载
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs	PDF	2048	点击下载
MOSFET Basics	PDF	1159	点击下载

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