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    FQPF3N25

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     N 沟道 QFET

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适用于高效开关 DC/DC 转换器和开关电源应用。
    • 2.3 A、250 V、R
    • = 2.2 Ω(最大值)@V
    • = 10 V、I
    • = 1.15 A
    • 低栅极电荷(典型值 4.0 nC)
    • 低 Crss(典型值 4.7 pF)
    • 100% 经过雪崩击穿测试

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    型号制造商描述购买
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    技术资料

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    TO-220 Fullpack, 3-Lead / TO-220F-3FGPDF53 点击下载
    FQPF3N25-D.pdfPDF895 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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